深圳统计局官宣！2026上半年深圳集成电路产量同比暴涨27.6%，存储芯片涨61.6%

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AI大模型落地训练与推理过程中，AI芯片是负责“算”的核心大脑，专攻复杂运算；存储芯片则是“供”的记忆库，保障海量数据及时输送至AI芯片。在统计中，芯片的生产制造属于计算机、通信和其他电子设备制造业，上半年该行业增加值同比增长12.3%，集成电路产量增长27.6%，其中存储芯片、逻辑芯片产量分别增长61.6%、12.1%。
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半导体设备
芯片市场供不应求，各家厂商加速扩产；作为芯片制造“印刷机”的半导体设备，采购需求快速升温。深圳近年持续布局半导体设备领域，本地企业研发生产刻蚀设备、CVD薄膜沉积设备等半导体设备，这些产品在统计上归属于专用设备制造业，上半年该行业增加值增速达12.8%。

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太炸裂了吧？2026年上半年深圳集成电路产量同比增长27.6%，其中半导体制造设备产值增长超过12%，其中存储芯片产量增长61.6%，逻辑芯片产量增长12%以上。

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华为昇腾0day适配Kimi K3，国产芯片跑通3万亿模型
【智迅文化 2026 年 07 月 28 日讯】7月28日，华为计算官方宣布，昇腾AI已实现对月之暗面Kimi K3的0day极速适配。这意味着，7月27日刚刚开源的Kimi K3，在发布当天就能在昇腾芯片上完成训练与推理部署。
Kimi K3是一个总参数量达2.8万亿的MoE大模型，是全球首个开源的3万亿级别模型。模型内置896个专家，单次推理仅激活16个专家参与计算。原生支持视觉理解，拥有100万token上下文窗口，KVCache压缩75%，长上下文解码速度最高提升6.3倍。海外测评中，Kimi K3已登顶Frontend Code Arena等多项榜单。
如此体量的模型在国产芯片上跑通并不容易。昇腾在训练侧基于MindSpeed MM套件，在Atlas 800 A3、Atlas 900 A3 SuperPoD上完成训练复现，通过FSDP+EP混合多维并行策略解决海量专家参数显存溢出问题；针对KDA低密度算子设计GEMM分组矩阵算子批量处理海量专家计算；通过ChunkLoss分块损失计算降低显存峰值。
推理侧同样打满了补丁。昇腾950超节点支持FP8、MXFP8、MXFP4全系列精度格式，原生兼容Kimi K3的mxFP4量化权重。通过vLLM Ascend与SGLang两大开源引擎落地优化，针对KDA架构设计Prefill与Decode双融合算子；MC2流水线打通专家路由、跨卡通信、计算回收全流程；SGLang新增DSpark投机推理，将单步生成时延压至50ms以内。
从Kimi K3开源到昇腾适配完成，中间几乎没有时间差。当开源模型遇上国产算力，“发布即能用”正在从理想走向常态。

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【福田新地标，主体施工突破30层】
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富满微2026年1-6月归母净利润为9064.0万元，较去年同期增长353.41%
富满微半年报数据显示，2026年1-6月营业总收入为6.78亿元，较去年同期增长77.04%，归母净利润为9064.0万，较去年同期增长353.41%，每股收益0.41元，净资产收益率为5.46%，每股经营现金流量为-0.4739元，销售毛利率为26.13%，所处行业为半导体。
资料显示，富满微成立于2001年，位于深圳市坪山区坑梓街道金沙社区人民东路与寿禾路交汇处富满微电子集团股份有限公司1栋101，是一家以从事高性能模拟及数模混合集成电路的设计研发、封装、测试和销售。为主的企业。企业注册资本2.21亿人民币，法定代表人为刘景裕。
通过天眼查大数据分析，富满微电子集团股份有限公司共对外投资了15家企业，参与招投标项目19次；知识产权方面有商标信息25条，专利信息298条；此外企业还拥有行政许可68个。
本文源自：市场资讯

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openPangu-2.0-Pro模型及技术报告正式开源上线








华为




2026年7月31日 10:01
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 [中国，深圳，2026年7月31日] 华为开源盘古5050亿参数的openPangu-2.0-Pro模型（模型权重、基础推理代码）及技术报告正式开源上线。开源盘古openPangu是华为开源AI模型品牌，致力于通过昇腾原生训练与推理技术，为业界用好昇腾提供最佳实践参考，助力打造Agent时代强大的智能底座，加快人工智能商业创新和生态繁荣。openPangu-2.0 模型相关组件已陆续上线开源平台。我们诚邀全球开发者、企业伙伴及研究人员下载使用，或访问华为云MaaS模型即服务平台在线体验，欢迎广大用户反馈使用意见，助力开源生态持续进步。

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沪吹整天羡慕嫉妒恨深圳吹嘘深圳海思半导体是个空壳公司交社保人数才几百人，好了人家一下子增加到了3500多人[憨笑]

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“芯”势能助力三大支柱产业协同跃升
今年上半年，计算机、通信和其他电子设备制造业增加值同比增长12.3%，集成电路产量增长27.6%，其中存储芯片、逻辑芯片产量分别增长61.6%、12.1%。作为芯片制造“印刷机”的半导体设备需求激增，深圳企业加速攻关刻蚀、CVD薄膜沉积等关键装备，推动专用设备制造业上半年增加值增长12.8%。

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国际首创 | 深圳平湖实验室成功研制8英寸20kV SiC IGBT及FRD器件
在“双碳”背景之下，电网正从单向输送转向全网互联。面对AI算力、储能、充电桩等的巨量用电负荷冲击，新型电力系统加速建设、特高压输电与智能电网急需高压大功率半导体器件坐镇中枢。此次取得重大突破的20kV碳化硅IGBT/FRD，堪称电网的“强力心脏”。它不仅能扛住超高电压，更有望将庞大的特高压换流站“瘦身”至集装箱大小。这颗国际首创的芯片，正在重写未来电网的物理形态。
深圳平湖实验室联合知名科技企业依托自有8英寸碳化硅中试平台，面向高压/特高压应用需求，布局并开发6.5kV~20kV系列SiC功率器件。近日，研发团队成功突破20kV电压等级SiCIGBT（绝缘栅双极型晶体管）及配套FRD（快恢复二极管）的8英寸超厚膜外延生长、8英寸厚膜晶圆制造、25kV电性测试及封装等一系列关键技术难点，所研制的20kV IGBT/FRD器件关键技术指标达到国际先进水平。这一成果标志着我国在特高压碳化硅功率器件领域迈出了从技术探索到工程实现的关键一步。
20kV SiC IGBT/FRD器件研发成果基于深圳平湖实验室自主搭建、面向产业验证的8英寸SiC中试平台开发，在国际上首次基于8英寸超厚碳化硅外延完成20kV电压等级SiC IGBT/FRD器件设计及制造，具备批量制造潜力。所研制出的20kV SiC IGBT器件为N型器件，单芯片尺寸1cm × 1cm，导通电流20A，耐压＞22kV@10uA，并验证了器件变温动态开关特性，在10kV/20A开关条件下常温关断损耗典型值为31mJ，150℃下关断损耗典型值为93mJ。