2024前4月深圳进口光刻机等半导体制造设备155亿暴涨287%，2023进口超300亿暴涨超300%

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5月21日，坪山区人 民政 府与复旦大学微电子学院合作备忘录签约仪式在坪山举行。坪山区委书 记杨军、市科技创新局副局长方琳出席活动并见证签约。签约前，杨军**、赵嘉区长与复旦大学微电子学院党委书 记罗凌、院长张卫一行举行座谈，双方围绕集成电路与半导体产业领域科研与技术创新协作、科研成果转化、创新平台建设、人才交流培养等方面，就进一步深化校地校企合作进行了深入交流。中芯国际、重大集成电路项目、荣耀、昂纳科技等企业相关负责人参加了座谈。

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前4个月，深圳进口机电产品3917.1亿元，增长28.8%，占同期深圳进口总值的（下同）75.7%。其中，进口集成电路2126.8亿元，增长19.7%；电脑零部件533.9亿元，增长112.9%；半导体制造设备155亿元，增长286.8%。

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美国科技网站Tom’s Hardware星期二（5月28日）报道，今年早些时候，华为与中芯国际送交名为自对准多重图案化（SAQP）芯片专利。借助这项技术，华为和中芯国际可以使用现有的深紫外光刻机（DUV）生产3纳米级制程芯片。
报道称，与华为合作的中国芯片制造设备开发商深圳新凯来公司（SiCarrier）也获得了SAQP专利，这证实了中芯国际计划将该技术用于未来的芯片制造。

SAQP指的是在硅片上反复雕刻线条，以提高晶体管的密度，降低功耗，从而提高性能。
韩国《**日报》今年3月报道称，中芯国际已组建了3纳米级制程芯片的研发团队，推测应该是使用美国对中国半导体实施出口管制之前所囤积的旧设备来生产高端芯片。
Tom’s Hardware称，英特尔在2019年至2021年的10纳米级制程芯片上，也尝试过类似SAQP的方法，但由于良率等问题宣告失败。不过，SAQP对华为和中芯国际仍至关重要，因为这些中国企业无法获得最先进的光刻机。

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深圳技术大学化合物半导体产学研发中心及产业孵化基地https://www.bidcenter.com.cn/zhaobiao/zbkeyw-544-440300-17.html

沐菁

华为专利揭示了3纳米级工艺技术计划——尽管受到美国制裁，中国仍继续向前迈进

新闻
作者：Anton Shilov发表昨天
华为和中芯国际可以使用DUV工具和多图案化生产3nm芯片。

今年早些时候，当华为和中芯国际半导体制造有限公司（SMIC）为自对准四重图形化（SAQP）光刻方法申请专利以生产先进的微芯片时，大多数人认为这些公司正在使用其5纳米级制造工艺制造芯片。显然，这并不是他们计划的极限，因为华为现在也期待在3nm级制造技术中使用四重图案。

与华为合作的国家支持的芯片制造设备开发商SiCarrier也为多图案技术申请了专利，证实了中芯国际计划将该技术用于未来的节点。TechInsights的Dan Hutcheson等专家认为，虽然SAQP可能允许中国制造5nm级芯片，但EUV机器对于这些节点之外的长期竞争力至关重要。行业专家从未设想过对 3nm 级节点使用四重图案化。

7nm 级工艺技术具有 36nm–38nm 金属间距，而 5nm 级节点将金属间距缩小到 30nm–32nm。在 3nm 时，金属间距将达到大约 21nm–24nm。这可以实现大批量生产的大约12纳米的关键尺寸，如果不使用双重图案化，即使是低数值孔径的EUV工具也无法实现。然而，看起来华为和中芯国际计划使用DUV工具通过SAQP实现这一目标。

SAQP对华为和中芯国际来说至关重要，因为他们无法获得ASML的Twinscan NXT：2100i和Twinscan NXE：3400C/3600D/3800E等领先的光刻工具。这是由于Nerherlands实施的出口规则，美国是限制的主要煽动者。SAQP涉及在硅晶圆上反复蚀刻线，以增加晶体管密度，降低功耗并增强性能。这种方法反映了英特尔之前在 2019-2021 年通过其 10nm 级（后来更名为“英特尔 7”）节点避免依赖极紫外 （EUV） 光刻机的尝试。

尽管有潜在的好处，但SAQP的使用带来了困难的挑战。英特尔的第一代 10 纳米级工艺技术至少在一定程度上失败了，这要归功于这种方法。有传言称产量如此之差，以至于唯一的 10nm 佳能湖 CPU 只有两个 CPU 内核，并且集成显卡被禁用。然而，对于中芯国际来说，SAQP对于半导体技术的进步是必要的，能够生产更复杂的芯片，包括用于消费类设备的下一代海思麒麟处理器和用于AI服务器的昇腾处理器。

尽管使用SAQP的每颗5纳米或3纳米芯片的成本几乎肯定会更高，使其在商业设备中不太可行（如果有的话），但这种方法对于中国半导体技术的进步仍然至关重要。这些进步不仅对消费电子产品至关重要，而且对超级计算机等应用至关重要，并可能发展军事能力。