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紫光集团旗下长江存储将在美国一年一度的快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit 2018 ; FMS)上宣布全新的 3D NAND 架构 Xtacking,这是中国在存储领域上,自主研发技术在国际型半导体会议上的首次公布,将由长江存储的首席执行官杨士宁领军宣布。
美国的快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit 2018 , FMS)即将在 8 月初于美国 Santa Clara 会议中心登场,是一个技术展示的重要国际型场合,国际半导体大厂每年都会在该高峰会上公布和宣示新技术突破发展。今年,中国半导体厂长江存储将首次登上该舞台,展示全新的新技术发展。
长江存储的首席执行官杨士宁计划于 2018 年 8 月 7 日举行的 Flash Memory Summit 2018 上进行演讲,主题为“ Unleashing 3D NAND's Potential with an Innovative Architecture ”,宣布具突破性意义的 3D NAND 架构创新技术 Xtacking 的诞生。
长江存储透露,该技术架构可以增加 NAND I/O 让芯片加速达到 DRAM DDR4 介面的传输速度,让 3D NAND 芯片在存储容量上可以有飞越性地进步,可以快速达到符合业界要求的领先容量标准,进而增加包括消费型SSD(Client SSD)、企业型SSD(enterprise SSD)、UFS 等 NAND 装置的效能,以及智能手机、计算机、云端伺服器等应用带来高效能的解决方案。(连于慧) |
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