长江存储基地装机move in今天正式开始

jierfford

期待爆发！

jierfford

不错啊。期待开工那一天。

一个好人2

年产值才100亿美元，这还是少了点吧。

romano320

早日建成投产，形成上下游产业链和人才集聚区！

长江大桥

一个好人2 发表于 2018-4-11 18:40
年产值才100亿美元，这还是少了点吧。

开玩笑，这玩意带动极大。产业链很长。

长江大桥

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国家存储器基地项目芯片生产机台进场安装 中国首批32层三维NAND闪存芯片年内量产

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• 日期: [color=rgb(149, 27, 129) !important]2018-04-11
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         4月11日上午9：30，由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。

国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装启动仪式

紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国发表讲话

         紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国在讲话中强调：国家存储器基地项目是中国集成电路闪存芯片产业规模化发展“零”的突破，相当于中国科技领域的航空母舰。在生产厂房于去年9月提前一个月封顶、32层三维NAND闪存芯片自主研发取得重大突破的基础上，今天我们又提前20天实现了芯片生产机台搬入。这正如航母舾装完毕，开始装配武器弹药，下一步就要在今年底实现芯片量产，出海远航。或许不久就可以看到采用国产三维NAND 闪存芯片的智能手机问世。未来十年，紫光计划至少将投资1000亿美元，相当于平均每年投入100亿美元。我们正处于一个伟大的时代，我们相信也必将产生伟大的企业，紫光正为此而积极奋斗。我们一定会努力完成国家赋予的历史使命。

         国家集成电路产业投资基金总裁丁文武表示，目前我国通用存储器全部依赖进口，国家存储器基地项目进展顺利，32层三维闪存芯片已经研发成功，存储器发展战略突破初现曙光，但这只是我们万里长征的第一步，未来还要在技术研发、人才培养引进、成本控制、运营管理以及市场竞争力提升等方面下大力气、下大功夫；希望长江存储在我国存储器产业乃至整个集成电路产业发展中闯出一条自主创新、打破垄断的新路。

         武汉市委副书记、武汉市长万勇表示，国家存储器基地机台搬入，是“中国芯”的一大步，也是“新武汉造”的一大步。32层闪存产品研发成功、64层闪存产品研发进展迅速，标志着中国企业在填补芯片领域空白迈出了重要的一步，进一步拉近了我国在高端芯片领域与少数先进国家并跑的距离，这让我们尤其感到振奋和自豪。期待今年10月设备点亮投产，期待明年底64层闪存产品产能爬坡量产，期待“中国芯”在全球市场反响良好，期待基地第二、第三工厂尽早开工建设；“中国芯、武汉造”即将成为现实，中国“缺芯少屏”的历史将由此改写。

         据悉，国家存储器基地于去年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片，并以前瞻的研发实力和卓越的性能，一举荣获4月9日开幕的中国电子信息博览会（CITE2018）金奖。这颗耗资10亿美元、由1000人团队历时2年自主研发的芯片，是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。

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         华芯投资管理有限责任公司总裁路军、副总裁任凯，紫光集团总裁张亚东，联席总裁齐联、王慧轩，紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事长高启全，长江存储总裁杨士宁，国家集成电路产业投资基金副总裁兼长江存储监事会主席彭红兵，长江存储副董事长杨道虹，与武汉市委副书记、常务副市长陈瑞峰，湖北省发改委主任、武汉市委常委、东湖新技术开发区党工委书记程用文，武汉市副市长徐洪兰，东湖新技术开发区党工委副书记、管委会主任刘子清，东湖高新区党工委副书记、管委会常务副主任陈平，武汉市政府秘书长刘志辉等领导，武汉市发改委、经信委、科技局等主要负责人参加调研；国际知名设备厂商TEL、LAM、AMAT，国内知名设备厂商北方华创、中微半导体等主要负责人参加活动。

长江大桥

程用文任省发改委主任后，还在兼任东湖开发区书记，还在出席各种开发区的活动。

长江大桥

国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装，提升“中国芯”在国际市场的地位！
2018-04-11 关山大道


今天，国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装！

这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，据了解，设备搬入、调试将耗费3个月左右时间，然后开始小规模试产。
如果顺利的话，今年四季度，中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片有望量产。


（紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国发表讲话）

去年9月，国家存储器基地项目（一期）一号生产及动力厂房提前一个月实现封顶，如今，又提前20天实现了芯片生产机台搬入。

紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国介绍，生产机台搬入对生产环境的要求很高，必须放在无尘室中并且提供相应的保障支持，因此，机台搬入说明厂房内部的洁净室、电气设备等内部装修已经陆续完成，这比厂房封顶的技术含量更高，难度更大。



9个月建设工厂，7个月实现机台搬入，建设节点不断提前，国家存储器基地项目上，一度达到同时6000人施工的规模，不分昼夜奋战。

生产机台搬入是重要节点，据了解，当天搬入的设备只是第一台，随后，要陆续从世界各地搬入各类高精密的芯片生产机台进行调试，数量多达2000多台，设备调试完成后才可以规模量化生产芯片。

按照计划，今年四季度，设备将有望点亮投产

紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事长高启全透露，今年将量产的产品，是于去年成功研发的中国首颗32层三维NAND闪存芯片。

就在两天前（4月9日），这颗耗资10亿美元、由1000人团队历时2年自主研发的芯片，获得中国电子信息博览会（CITE2018）金奖。

这是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。



“但这仅是刚刚开始。”高启全接受访问时，措辞谨慎。他介绍，32层三维NAND闪存芯片量产后，不会上很高的产量，“更主要地是完成完全自主技术积累，技术不够好，不会硬冲产量”。



随着需求量的激增，近年来，全球存储芯片的价格不断上涨

目前，全球存储器芯片技术，主要掌握在韩、日、美等国企业手中，属于相对垄断市场。

去年6月，三星已宣布64层NAND闪存开始大规模量产。这些技术和产品，将推动以TB为单位的固态盘、以及128GB以上的手机闪存迅速普及。

有数据显示，2017年全球闪存芯片销量超过500亿美金，同比增加45%，预计2020年销量超过1000亿美金，中国市场进口超过半数，中国企业自主生产的存储芯片基本上是空白。

2016年7月，总投资240亿的国家存储器基地在武汉启动的四个月后，紫光集团旗下的长江存储正式成立。


（国家存储器基地项目现场航拍）

对此，业内人士普遍认为，长江存储的成立将为后续中国布局自主性存储器产业带来进展，利于整合国家资源，提高项目成功率。

果不其然，2017年11月，长江存储宣布已于近日成功研发32层3D NAND Flash芯片，打破国外半导体厂三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西部数据等的技术垄断。



3D NAND是革新性的半导体存储技术，通过增加存储叠层而非缩小器件二维尺寸实现存储密度增长，从而拓宽了存储技术的发展空间，但其结构的高度复杂性给工艺制造带来全新的挑战。

打个简单的比喻，2D闪存是建平房，3D NAND存储就是盖楼房，现在国际主流产品已经“盖”到64层，未来有可能到96层、128层，存储容量大幅提升。

长江存储是专注于3D NAND技术的代表队，更是紫光集团投入半导体产业的重量级代表作。

业内人士透露，长江存储去年11月将32层3D NAND芯片导入SSD内，进行终端产品测试成功，代表大陆3D NAND研发迈入新里程碑。

长江存储原本规划12月底才提供32层3D NAND样本，然该颗芯片样本提前出来，且第一版就通过终端实测，象征研发获得重大突破。

媒体评论说，由于存储器技术研发难度高，专利又集中在欧美大厂手上，业界对于大陆发展存储器计划多抱持保守态度，长江存储在3D NAND技术研发进度超乎市场预期。



“板凳要坐十年冷。”

17年9月28日，国家存储器基地项目一号生产及动力厂房实现提前封顶。

长江存储董事长赵伟国在封顶仪式上透露，2018年将进行中小规模的试产和量产，争取在2019年进行大规模的生产，填补中国在存储产业领域的空白。



在4月9号的第六届中国电子信息博览会上，赵伟国表示，在长江存储发展规划中，第一阶段长江存储将以 3D Nand Flash 做为切入点，通过技术合作支持争取快速发展，第二阶段目标到 2020 年月产能达到 30 万片，赵伟国称藉此长江存储将能进入世界内存企业的第一梯队，这阶段将能贡献中国芯片制造自产率的 8%，中国目标在 2020 年芯片自给率要达到 40%。

赵伟国说，未来的道路还很艰难漫长，要坚定信心、保持定力，“我们希望5年站稳脚跟，别人没法把我们打出去，但真正的成功需要10年时间”。

长江存储执行董事长高启全接受媒体群访时也有类似的表述，“前五年追赶技术，后五年增加产量”。

他说，目前长江存储完成了32层三维NAND闪存芯片的自主研发，也将投入量产，但产量和成本，还不足以影响市场。

“后发优势是不会走太多冤枉路，速度更快一点，但别人也在跑，追上去仍要花力气、花时间”，高启全说，64层闪存产品研发也在迅速进行，力争2019年底能实现产能爬坡量产，这样，就能把和全球领先大厂的差距缩短在2年以内，“希望用5年左右接近世界先进水平”。



光谷打造芯-屏-端万亿产业集群

国家存储器基地项目是中国集成电路存储芯片产业规模化发展‘零’的突破，对于填补国内主流存储器领域空白、保障国家信息安全具有重要的战略意义。

该项目位于东湖高新区的武汉未来科技城，项目一期规划投资240亿美元，占地面积1968亩，于2016年12月30日正式开工建设，将建设3座全球单座洁净面积最大的三维NAND Flash 生产厂房。

目前，东湖高新区已经聚集以长江存储、武汉新芯为龙头的集成电路企业百余家，2017年实现主营业务收入135亿元，专业从业人员近万人，创新能力稳步提升，人才队伍不断壮大，产业链不断完善，产业发展生态正在加快形成。



未来，在加快实现存储器芯片量产的同时，东湖高新区将加大设计、设备、材料、封测、存储控制等企业的招引力度，打造存储器全产业链。

在发展集成电路同时，东湖高新区正以武汉天马、武汉华星光电为龙头，推动新型显示领域发展，以华为、联想 MOTO、小米为龙头，推动智能终端领域发展，目标是在“芯片-显示-终端”核心领域，聚集一批龙头企业和优质中小企业，形成产业创新发展策源地，打造完整产业生态，形成万亿产业集群。

本文由关山大道综合整理 | 若需转载请注明出处
资料来源 | 长江日报肖娟 中国光谷

飞行的坚果

虽然我们还是需要进口光刻机，但是总算是迈出了第一步！

w6220623

芯片工厂是个电老虎，台湾大停电就是因为保半导体工业园用电而停掉民用电，希望武汉电力建设能跟上，全力支持长江存储生产

bola1122

什么时候能自己研发光刻机呀？

估计研发光刻机这个东西很难收回成本。

archieco

我同学签的长江储存

tmhtjj

javascript0 发表于 2018-4-11 18:00
ASML的极紫外机器是不是中国买不了

问：针对国内市场 、客户，各方现在传出许多声音，听说国内晶圆厂都预定不到EUV光刻机 “有钱难买EUV”？

答：首先，我必须澄清这绝非事实。中国本地的晶圆厂与所有国际客户，于ASML而言都是一视同仁的，只要是确认订单，EUV要进口到中国完全没有任何问题。由于EUV零组件多达5万多个部件，从客户下单到正式交货，交期约21个月，这个情况，对每个客户都是完全一致的。
事实上，大陆客户已进入7纳米工艺制程技术研发阶段，并且与ASML展开EUV的商谈。如果最终订单确认，最快预期2019年EUV会首次移入中国晶圆厂，我们对在中国客户装入中国第一台EUV光刻机，抱持乐观的期待。同时认为一旦一家中国客户采用，其他客户也会快速跟进。

汐凉

高端产业，多多益善