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发表于 2018-8-29 19:43:28
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三安半导体研发与产业化项目修建性详细规划咨询公示
http://www.nanan.gov.cn/public/detail/id/6204364.html
一、规划范围
本次用地分为东西两块用地，规划范围东至院前村、科院北路，西至后井水库，南邻规划厦漳泉联盟高速，北以后海路、院前村为界，总用地面积为166.06公顷，其中西地块125.1公顷，东地块41.1公顷。
二、规划定位
根据南安市和石井镇相关产业规划，结合区域发展特点，规划将该项目定位为：从上游外延片、芯片到中游封装以及下游应用的光电全产业链，建设一个集生产、研发、综合配套为一体的专业性复合式光电产业园。
三、规划规模
用地规模：本次规划用地面积为166.2公顷，其中生产性设施用地159.1公顷，非生产设施占地面积7.1公顷。
人口规模：考虑到工业园的主要产业类型为劳动密集型企业，则规划区职工人数为15900人。
四、功能分区
本规划根据不同的功能需求将园区分成“两片九组团”，其中：
“两片”：为东西两大片区；
“九组团”：为东片区的特种封装区及集成电路区；西片区的配套生活区、衬底生产区、2个测试研发区、特种封装区、氮化镓 外延芯片区及砷化镓外延芯片区。
五、分期建设
规划根据项目实际情况，确定“南北向中间推进”的整体开发建设方向，分三期建设。
一期建设：占地面积49.86公顷，建筑面积119.43万㎡，一期建设重点项目包括：整体市政道路、氮化镓外延芯片区、砷化镓外延芯片区、测试综合楼、博士后工作站、集成电路区及员工宿舍。
二期建设：占地面积13.30公顷，建筑面积40.28万㎡，二期建设重点项目包括：居住区、接待中心、职工活动中心、氮化镓外延芯片区、集成测试楼及集成实验楼。
三期建设：占地面积12.61公顷，建筑面积51.11万㎡，三期建设重点项目包括：特种封装区、宿舍区等。
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IP卡
狗仔卡
发表于 2018-8-29 12:00:25
显身卡
楼主
南安现在也是出台了一系列政策想方设法补贴半导体企业，想再引进一些进来，不过这种项目毕竟很抢手，全国各地都在抢