中芯国际40nm ReRAM存储芯片出样

飞行的坚果 · 发表于 2017-1-14 15:36:41

中芯国际40nm ReRAM存储芯片出样：比NAND快1000倍

目前在下一代存储芯片的研发当中，除了3D XPoint芯片外还有ReRAM芯片（非易失性阻变式存储器）。

2016年3月，Crossbar公司宣布与中芯国际达成合作，发力中国市场。其中，中芯国际将采用自家的40nm CMOS试产ReRAM芯片。

近日，两者合作的结晶终于诞生，中芯国际正式出样40nm工艺的ReRAM芯片。

据介绍，这种芯片比NAND芯片性能更强，密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍，耐久度高1000倍，单芯片（200mm2左右）即可实现TB级存储，还具备结构简单、易于制造等优点。

另外，按计划更先进的28nm工艺ReRAM芯片也将在2017年上半年问世。

anselmwu · 发表于 2017-1-14 16:04:53

武汉中芯加油！

WHV587 · 发表于 2017-1-14 17:15:27

只知道武汉新芯以前是被托管到中芯国际名下，现在应该没有武汉新芯这个公司名称了吧，它不是已经被紫光收购并到长江存储了吗？
中芯国际与武汉现在应该没有什么关系了吧。

天下楚人 · 发表于 2017-1-14 17:24:42

跟武汉没有任何关系，，，

singerstefanie · 发表于 2017-1-14 19:07:34

瞬息万变啊。

z272781259 · 发表于 2017-1-14 19:29:17

跟武汉没有关系吧？

inzaghi · 发表于 2017-1-14 19:51:11

smic什么时候才能量产28nm

HZL106 · 发表于 2017-1-14 22:21:24

40NM的技术还是有点落后，不过摩尔定律越来越难以打破，外国在这方面也越来越趋于极限，那么中国总有一天能够平起平坐甚至是赶超的了。

CRH2085C · 发表于 2017-1-15 06:02:18

HZL106 发表于 2017-1-14 22:21
40NM的技术还是有点落后，不过摩尔定律越来越难以打破，外国在这方面也越来越趋于极限，那么中国总有一天能 ...

越来越难以延续。。。

[经济论道] 中芯国际40nm ReRAM存储芯片出样

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