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发表于 前天 08:48
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2026年1月6日，根据无锡市公共资源交易平台官网消息，华虹Fab9B项目开启招标。 根据招标信息，华虹Fab 9B项目位于无锡市新吴区新洲路30-2号，项目利用现有生产和动力厂房，新建洁净室和动力系统（包括机电、纯废水、化学品、特气等），并配置相应的工艺设备、量测和辅助设备、自动搬运系统及生产管理系统，坚持自主研发与适当引进的方式构建特色工艺技术平台，建设一条月产能达到5.5万片的12英寸特色工艺生产线。项目招标合同估算价38亿元，设计开工日期为2026年2月10日，施工开工日期为2026年2月10日，工程竣工日期为2027年1月31日。根据芯片说于2024年12月报道，华虹无锡二期项目（华虹Fab 9）于2024年12月10日建成投产，项目总投资67亿美元，建设一条覆盖65/55~40nm工艺节点、聚焦车规级芯片制造、月产能8.3万片的12英寸特色工艺生产线。而华虹无锡一期项目（华虹Fab 7）经过两轮扩产，总产能达9.45万片/月，工艺节点为90~65/55nm。华虹半导体正积极推进"8英寸+12英寸"的产能扩张战略。公司原有上海金桥和张江的3座8英寸厂，合计产能17.8万片/月。2019年无锡七厂（12英寸）投产后，公司营收规模从10亿美元级跃升至20亿美元级。2024年，无锡九厂（二期）开始投片，规划总产能8.3万片/月，推动公司12英寸产能提升至10.4万片/月（截至2025Q1）。华虹半导体立足于"特色IC+Power Discrete"战略，构建了业内最全面的特色工艺平台组合。公司拥有从0.35μm至90nm工艺节点的8英寸晶圆代工平台，以及90nm到40nm工艺节点的12英寸晶圆代工平台，形成了五大核心工艺技术矩阵：工艺平台技术特点主要应用领域嵌入式非易失性存储器0.35μm-40nm工艺节点智能卡芯片、车规/工控/消费类MCU独立式非易失性存储器自主知识产权的NOR闪存架构NOR Flash、EEPROM功率器件覆盖200V以下至1700V全电压范围低压MOSFET、超级结MOSFET、IGBT模拟与电源管理1.5V-700V的BCD工艺平台电源管理、信号链类模拟芯片逻辑与射频0.35μm至55nm特色工艺蓝牙/WiFi芯片、图像传感器2024年公司营收结构显示，55/65nm制程占比大幅提升9.1个百分点至21.89%，90/95nm制程增长2.55个百分点至19.42%，两者合计贡献超四成营收。这种制程分布使华虹在成熟工艺市场形成了差异化竞争优势，避开了与台积电、三星在先进制程上的正面竞争。 |
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发表于 2024-11-28 09:14:38