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发表于 2018-8-29 19:43:28
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三安半导体研发与产业化项目修建性详细规划咨询公示
http://www.nanan.gov.cn/public/detail/id/6204364.html
一、规划范围
本次用地分为东西两块用地,规划范围东至院前村、科院北路,西至后井水库,南邻规划厦漳泉联盟高速,北以后海路、院前村为界,总用地面积为166.06公顷,其中西地块125.1公顷,东地块41.1公顷。
二、规划定位
根据南安市和石井镇相关产业规划,结合区域发展特点,规划将该项目定位为:从上游外延片、芯片到中游封装以及下游应用的光电全产业链,建设一个集生产、研发、综合配套为一体的专业性复合式光电产业园。
三、规划规模
用地规模:本次规划用地面积为166.2公顷,其中生产性设施用地159.1公顷,非生产设施占地面积7.1公顷。
人口规模:考虑到工业园的主要产业类型为劳动密集型企业,则规划区职工人数为15900人。
四、功能分区
本规划根据不同的功能需求将园区分成“两片九组团”,其中:
“两片”:为东西两大片区;
“九组团”:为东片区的特种封装区及集成电路区;西片区的配套生活区、衬底生产区、2个测试研发区、特种封装区、氮化镓 外延芯片区及砷化镓外延芯片区。
五、分期建设
规划根据项目实际情况,确定“南北向中间推进”的整体开发建设方向,分三期建设。
一期建设:占地面积49.86公顷,建筑面积119.43万㎡,一期建设重点项目包括:整体市政道路、氮化镓外延芯片区、砷化镓外延芯片区、测试综合楼、博士后工作站、集成电路区及员工宿舍。
二期建设:占地面积13.30公顷,建筑面积40.28万㎡,二期建设重点项目包括:居住区、接待中心、职工活动中心、氮化镓外延芯片区、集成测试楼及集成实验楼。
三期建设:占地面积12.61公顷,建筑面积51.11万㎡,三期建设重点项目包括:特种封装区、宿舍区等。
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