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发表于 2026-8-24 19:59:45
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本帖最后由 rad33 于 2026-8-24 20:02 编辑
以上交所官网 2026-08-21 预披露的《长江存储控股股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书（申报稿）》为准，（第六节 业务与技术、第九节 募集资金运用等）中 DRAM / HBM / HBF（高带宽闪存） 的规划（DRAM/HBM/HBF 集中出现在 第六节"二、所属行业的基本情况"之"（三）行业发展趋势"小节点，对应上交所版正文页码约 P268–P282。）：
DRAM：定位为"外部协同介质"，无自建制程规划。
原文："行业正在从 NAND Flash 与 DRAM 各自独立的传统架构，转向两类存储介质深度融合的方向……大模型推理过程中产生的海量 KV 缓存数据正在从 HBM 向固态硬盘分层存储，由 NAND Flash 承接低频访问的缓存数据，以缓解 HBM 的容量瓶颈。"
大意是在"四级近端存储分层体系"中，DRAM 被放在 HBM → 高带宽闪存 → DRAM → 本地SSD的第三格，角色是"比 HBF 容量更小、比 HBM 延迟更低的中间层"，不是长存自己要做 DRAM 颗粒。
HBM：列入研发视野，但限定为"接口/封装/协同"，不造 HBM 颗粒。
上交所版第九节 P330的122 亿研发募投中表述为 "搭建前沿存储器研发平台，开展下一代存储架构、存储器件、先进制程等前瞻性技术研发"，限定词是接口协议、异构集成、混合键合先进封装，不是 HBM DRAM 堆栈颗粒制造。
HBF（高带宽闪存 High-Bandwidth Flash）：长存将来的王牌。
原文："公司依托 Xtacking 架构在混合键合与高 I/O 速度上的积累，中长期推进高带宽闪存（High-Bandwidth Flash）技术的量产，构建'HBM—高带宽闪存—DRAM—本地 SSD'四级近端存储分层体系，在满足 AI 计算高带宽需求的同时降低系统级存储成本。NAND Flash 在 AI 计算体系中的角色由此从后端持久化存储，扩展至近端高带宽存储层。"
招股书用全称"高带宽闪存（High-Bandwidth Flash）"，未缩写成 HBF，但所指即产业界里的 HBF 概念（NAND die 堆栈+宽总线+近 GPU）。明确绑到 Xtacking 混合键合与高 I/O 速度，用现有 3D NAND die + 键合/堆叠/控制器固件演进堆出带宽。
上交所版第九节重点讲募投资金：
330亿募投中的208 亿用于长江存储量产线技术升级：主投 300+ 层向 500+ 层 Xtacking 4.0 及后续代际、良率、高端产能。
330亿募投中的122 亿用于相关研发：覆盖 HBF 架构、混合键合/Chiplet 先进封装、HBM 接口协议与异构集成——也就是把"NAND 堆成高带宽"和"与 HBM/DRAM 协同"做成工程能力。
据上，基本可以明确：
不造DRAM，只做"NAND+DRAM 深度融合"；
不造HBM颗粒，只做接口/封装/异构集成协同，列入 122 亿研发前沿方向但没承诺量产；
HBF（高带宽闪存），直接写了是"中长期推进量产"的新介质，是长存基于 Xtacking 主动定义的 AI 存储差异化赛道，构建 HBM-HBF-DRAM-SSD 四级分层。 |
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