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发表于 2025-3-24 16:51:50
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深圳国资半导体装备首秀!五大国产设备携200+专利亮相国际展
3月24日,深圳国资控股企业新凯来官宣即将亮相SEMICON China 2025半导体展。这家注册资本总额达25亿元的科技企业,将携五款国产半导体制造设备及超200项核心专利首次公开亮相,其技术布局覆盖芯片制造全流程关键环节。
一、国资背景下的技术攻坚
据天眼查公开信息显示,新凯来工业机器(注册资本超10亿)与新凯来技术(注册资本15亿)构成双核架构,实控人为深圳国资委旗下重大产业投资集团。值得关注的是,该集团深度参与国家第三代半导体技术创新中心建设,其深圳综合平台已建成覆盖材料制备到封装测试的完整产业链。
二、五大核心设备技术解析
1. EPI外延设备(峨眉山系列)
采用第三代半导体碳化硅材料制备技术,与深圳综合平台中试线形成技术协同,可满足1200-6500V SiC MOSFET制造需求
2. 刻蚀系统(武夷山系列)
搭载自研静电卡盘专利技术(专利号CN119069414A),表面电荷释放速度提升40%,显著提升芯片加工良率
3. 薄膜沉积装备(长白山系列)
集成反射结构专利(CN119620268A),设备体积缩小30%的同时实现沉积效率提升,已通过ISO 9001质量体系认证
4. 物理气相沉积设备(普陀山系列)
适配12英寸晶圆制造,定位精度达±1.3μm,技术水平对标国际主流设备
5. 原子层沉积设备(阿里山系列)
支持7nm以下先进制程,与中芯国际(深圳)产线完成技术验证
三、200+专利构筑技术护城河
国家知识产权局数据显示,新凯来近三年累计申请:
1. 工艺设备类专利127项(含3项PCT国际专利)
2.光学设备专利58项
3.控制系统专利42项
其中,静电卡盘技术已实现晶圆加工温度波动控制在±0.5℃以内,达到国际先进水平。
四、产业链协同创新格局
1. 与深圳综合平台形成"研发-中试-量产"闭环,共享1200V GaN HEMT工艺平台
2. 联合清华大学(深圳)研究院等5所高校建立联合实验室
3. 参编7项半导体设备行业标准制定
4. 技术团队平均从业年限18年,核心成员参与过国家02重大专项
【产业观察】据行业统计,我国半导体设备国产化率在刻蚀、沉积等关键领域仍不足30%。新凯来的技术突破,有望在三年内将28nm成熟制程设备国产化率提升至50%,每年减少相关设备进口约15亿美元。随着深圳第三代半导体创新中心等国家级平台投入运营,大湾区正形成从材料、设备到制造的完整产业生态。 |
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