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发表于 2026-6-12 11:34:23
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江城实验室攻克三维片上电容关键技术
光明日报
记者从湖北省科技厅获悉,近日,湖北江城实验室研发出新型芯片电容,好比在芯片里装了一块立体海绵,稳住供电、解决卡顿难题,关键技术达到国际先进水平,助力国产芯片自主生产。目前这款新型电容已经进入试样生产阶段。
运行AI大模型、大型手游时,芯片瞬间满载工作,用电量猛然飙升。老式电容储电能力差,供电跟不上就会造成芯片降速卡顿。江城实验室科研团队改造电容内部结构,把单薄储电的平面电容,变成立体多孔的新型电容。
“海绵”吸水快、存得多、释放灵活。这款新型电容在芯片突然耗电激增时可以快速补电,牢牢稳住电压。经多轮严苛测试,这个三维片上电容密度突破每平方毫米1000纳法,相较于市面上的商用积层陶瓷电容器,稳压性能提升百倍以上。
研发过程中,团队还自研了一套专属的解析模型,将复杂的电磁仿真运算简化为代数方程,填补国内技术空白,可以极大提升电容的设计效率。
作为聚焦集成电路先进封装的湖北实验室,江城实验室已建成国内先进的12英寸先进封装综合实验平台。目前这款新型电容已经进入试样生产阶段,预计一年左右实现量产,抢滩百亿规模的高端电容市场。 |
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