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国内首次:九峰山实验室实现8英寸原子层沉积金属钼工艺突破
九峰山实验室
2026年5月19日 11:50
湖北
导读
金属薄膜的沉积精度直接决定了器件性能的天花板。而金属钼(Mo)薄膜的低电阻、高均匀、易量产工艺一直是行业难题。近日,九峰山实验室化合物半导体中试平台-工艺平台深度联动国产原子层沉积(ALD)设备厂商,实现了ALD Mo工艺新突破——以稳定、高效的MoCl₂O₂原料为前驱体,在400℃下制备出高性能金属钼薄膜,这是国内首次基于8英寸平台实现该工艺的开发。作为实验室在化合物半导体根技术领域的重要突破,该工艺在电阻率、均匀性、台阶覆盖率等关键指标上达到量产要求,对化合物半导体器件性能提升具有底层支撑作用,为国产设备与自主工艺的协同创新提供了可行样本。
本次工艺的成功开发,标志着国内首次在8英寸平台实现ALD Mo工艺的开发,且在关键指标上达到量产要求。在3D NAND制造中,高台阶覆盖率可完美适配垂直沟道结构,助力提升存储容量与读写速度。在7纳米及以下逻辑芯片中,低电阻率直接带来更低的RC延迟,运算速度提升、功耗降低。在DRAM(动态随机存取存储器)制造中,高均匀性和致密结构有助于提升器件稳定性与寿命。 |
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