|
|
本帖最后由 hxxhxx 于 2026-9-19 19:03 编辑
sopor929 发表于 2026-9-18 22:12
拿什么限制?有报道说它一上来就是要做3d nand?查询了一下三星海力士镁光
三星:最典型的自主研发, ...
唉你们对nand目前进展一无所知……nand到了高层堆叠有一个必须要用到的技术叫混合键合,目前长存在该领域上专利不仅是最多的也是唯一有专利墙的,三星为什么要交专利费?不是因为他有钱做慈善,而是他觉得绕不开,目前长鑫这一块基本为零,所以才会在hbm上找新芯,但是hbm主流用的是微凸点,目前用混合键合良率还比较低,这是另外的话题了。
一个核心又基本的问题是,3d nand目前走高层堆叠必然要考虑混合键合,这样就会碰到长存的专利墙,除非你只做2d nand或者低层级3d nand。
当然低层级nand也有作用比如hbf目前方案是16层或者部分ssd。但是目前这一块技术还停留在理论层。即便是做hbf目前主流也是tsv和微凸点。这要是长鑫能解决hbm早出来了。所以目前放的消息看看就好,这种自媒体引用行业内部人员的消息大概率会在层层传播理解中严重失真,就像之前长存的营收一样,目前长鑫唯一能做的就是ssd,除非你相信三星海力士是冤大头或者三星海力士技术不如长鑫。 |
|