追踪【合肥长鑫12寸DRAM晶圆厂】——2020年5月14日，长鑫内存正式上市开售

xintzya

南亚科完成首颗自主研发的20nm制程8Gb DDR4 DRAM，重返PC市场
工程师青青 发表于 2018-08-28 16:09:21
存储技术

台塑集团旗下DRAM大厂南亚科技术能力大跃进，完成首颗自主研发的20nm制程8Gb DDR4 DRAM，并通过个人电脑（PC）客户认证，本月开始出货，为南亚科转攻利基型DRAM多年后，再度重返个人电脑市场，明年农历年后将再切入服务器市场，南亚科借此成为韩系和美系大厂之后，另一稳定供货来源。

南亚科先前虽已取得美光20nm授权，但仅限于生产DDR3 DRAM，南亚科因而走自主研发之路，自行研发20nm制程DDR4 DRAM，跻身有自主能力生产主流DRAM产品的大厂之列。

经过近一年努力，南亚科日前正式完成首颗8Gb DDR4 DRAM产出，并通过一线PC大厂验证，本月开始出货，成为继三星、SK海力士、美光等三大厂之后，另一家有能力提供20nm先进制程主流DDR4 DRAM芯片的业者。

由于8Gb DDR4 DRAM可透过后段堆叠封装，将提升至高容量存储器模组，迎合个人电脑和服务器市场需求，南亚科这项重大突破，也等于取得重返目前毛利最优的主流存储器供应之列，是台湾发展DRAM的一大突破。

南亚科强调，未来重心除了服务器市场外，将着眼于应用在更多人工智能（AI）产品，以及高分辨率智能型电视、先进机上盒等利基市场，不会与三星、SK海力士和美光三大厂正面交峰。

南亚科在20nm制程技术的突破，也让公司未来朝自主研发1x制程技术发展的信心大增。法人分析，南亚科成功出货8Gb DDR4 DRAM，且切入毛利率更优的主流标准型DRAM和服务器用DRAM市场，有利南亚科产品组合更优化，进而提升毛利率。

南亚科受惠20nm制程效益发酵，11月合并营收冲上57.45亿元（新台币，下同），改写八年来单月新高；前11月合并营收489.66亿元，年增31％，优于市场预期。南亚科本季20nm制程投片量快速拉升至3.8万片，时程上比预期提早半年，随着相关投片明年第1季末大量产出，届时南亚科获利可望展现强劲爆发力。

xintzya

产能、良率将大幅提升！DRAM制程升级，并将用上EUV设备

三星暂定2019年11月开始量产采用EUV技术的1znm DRAM，量产初期将在华城17产线，不过由于与晶圆代工事业部共享EUV设备，所以初期使用量不大，之后平泽工厂也会启动EUV DRAM量产。

　　三星这一举措可助力降低DRAM生产成本，提高市场竞争力。自2019年以来，消费类NAND Flash价格跌幅高达30%，持续下滑的市场价格给存储厂商带来了不少困扰，再加上近日DRAM市场也陷入杀价战，让企业运营再现危机。

　　另一方面，三星、美光等在2019上半年宣布DRAM技术向1znm工艺发展，下半年将陆续进入量产阶段，然而随着制程的微缩，导致DRAM良率低下，出现瑕疵品的几率增加，若采用EUV设备，可提高DRAM良率。

　　EUV制程采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻，相较于将蚀刻液喷洒在半导体表面，利用蚀刻液与半导体基底化学反应的DUV，蚀刻的各向异性明显改善，对于精确度要求较高的集成电路，EUV使电路分辨率和良率得到极大提升。

　　荷兰光刻机大厂ASML曾表示，2017年下半到2018年初，EUV光刻机每小时晶圆吞吐量约125片，而ASML即将在下半年出货的新一代EUV光刻机，芯片吞吐量已经可以达到每小时170片水准，这将使产能增加36%。

ASML计划在2019年出货30台EUV光刻机，同时正准备将NXE 3400C EUV光刻机推广到DRAM产业，这与DRAM原厂想法不谋而合。

　　三星在2019年3月宣布开发出第三代10纳米级1znm 8Gb双倍数据速率的DDR4，9月即将启动第三代10纳米级1znm DRAM的量产，在不使用EUV设备下，1znm较1ynm DRAM的产能提高20%，速度与功耗表现亦有所提升。

　　三星计划2019年11月开始量产采用EUV技术的1znm DRAM，采用EUV技术的区间是1个Bitline Pad(BLP)，后续计划在1a制程增加到4个、1b制程增加到5个，逐渐扩大EUV技术生产的区间。

　　除了三星，美光计划将在2019年底在日本广岛B2新工厂量产1znm LPDDR4，在1znm工艺以后，还将有1αnm、1βnm、1γnm细微化的工艺，所以美光也在评估使用EUV设备带来的DRAM成本效益。SK海力士也有意以EUV制程生产DRAM，积极发展技术。

xzh.1987

什么时候量产

fdyc

xintzya 发表于 2019-10-13 09:30
为什么不会赚钱，台湾南亚科 制程20纳米以上，规模年销售额不到200亿人民币，人家大赚

南亚科技第3季 ...

南亚科1995年成立，年销售额200亿，并且能盈利那也是靠20多年的积累，刚开始起步的时候是靠跟行业巨头合作。
芯片制造行业，没有母厂的新厂亏损5-10年是正常的。而且内存行业需要设备不断升级换代，国内某月产10万的外资厂每次升级要花20亿美元更新设备。要实现盈利就需要缩短设备折旧期，产品的毛利率越高 设备折旧期越短。

cmcc101

xintzya 发表于 2019-10-13 09:44
DRAM 这种标准化东西，一个规模，二是良品率，只要这二个上来，就会盈利的

够分唱空没有真实价值，预测  ...

长鑫一期不可能2021满产，你不能按照去年前年说的那个进度去推测实际情况，去年前年还说今年年末产能要两万呢，结果别说长鑫了，长江存储明年年末产能到两万。
你下面有人说长鑫盈利要五到十年，其实真实的情况是长鑫满产就要五到十年，别说DRAM，京东方成都厂的OLED，17年量产，三期现在设备都没进，满产至少得到22年。
而五到十年之内会发生什么？长鑫的DRAM是DDR4，最早2021年，最晚2023年，DRAM就全面转产DDR5了；如果长鑫拖了十年不满产，那不好意思，DRAM直接就被淘汰了。实际上智能手机LCD屏幕的寿命周期也就十年，明年OLED就超过LCD了

xintzya

cmcc101 发表于 2019-10-14 20:57
长鑫一期不可能2021满产，你不能按照去年前年说的那个进度去推测实际情况，去年前年还说今年年末产能要两 ...

长鑫 2021一期不满产，怎么可能2020开始建设二期

长鑫今年年底就是月2万片

fdyc

xintzya 发表于 2019-10-14 22:22
长鑫 2021一期不满产，怎么可能2020开始建设二期

长鑫今年年底就是月2万片

国内的企业有点成就就开始邀功，为了得到政策资金的倾斜。新闻媒体收了稿费的，所以才会大势宣传，过度夸大。那些行业巨头的发展史可以看出，芯片行业走捷径视乎行不通。理性看待那些新闻~

xintzya

fdyc 发表于 2019-10-14 23:06
国内的企业有点成就就开始邀功，为了得到政策资金的倾斜。新闻媒体收了稿费的，所以才会大势宣传，过度夸 ...

你真是太幽默了，新闻不能信，公司老总话也不能信

就你的话能信

xzh.1987

芯片行业确实没有捷径

cmcc101

xintzya 发表于 2019-10-14 22:22
长鑫 2021一期不满产，怎么可能2020开始建设二期

长鑫今年年底就是月2万片

因为，第一，2020开始建设二期本来就是你编的，人家的原话叫2020年开始规划二厂建设。
第二，今年年底产能到2万这件事是去年的口径，然而这是建立在去年年末就能量产的前提下的，然而你实际上进度延期了差不多一年

金秋十月

在长鑫公布投产之前，有人就一直分析长鑫今年年底前就根本不能量产。而且是以内部人员自居，说的似乎很可信。现在长鑫宣布已经正式投产了，已经被打脸了，现在有些人又来质疑长鑫的产品良率，质疑不能满产。等到月底或明年初长鑫公布已经满产了，这些人一定会说这是骗人的，或者说长鑫的产品质量不过关，没客户要。等长鑫再宣布客户很满意长鑫的产品时，这帮人一定又来说长鑫是亏本卖的，生产的越多，亏的越多。我们已经适应你们的质疑了！

金秋十月

总之，这些人就是一直认为长鑫是不会成功的，长鑫就是来骗合肥**钱的。合肥**的人就是孬子，钱好骗。尼玛，合肥**的人都不如你们的智商？

金秋十月

金秋十月 发表于 2019-10-15 11:14
在长鑫公布投产之前，有人就一直分析长鑫今年年底前就根本不能量产。而且是以内部人员自居，说的似乎很可信 ...

等到长鑫年底或明年初

xintzya

cmcc101 发表于 2019-10-15 11:00
因为，第一，2020开始建设二期本来就是你编的，人家的原话叫2020年开始规划二厂建设。
第二，今年年底产 ...

合肥长鑫即将试产DRAM 2019年底可单月产能2万片

长鑫存储技术有限公司董事长、睿力集成电路有限公司CEO王宁国高调现身合肥集成电路重大项目发布会表示，合肥长鑫作为国内进展最快的存储器生产基地，近日12吋基地约300台研发设备已基本全部到位，装机后今年下半年将全力投片试生产。

王宁国透露，合肥DRAM一期已于2018年1月一厂厂房建设完成，并开始设备安装；2018年底将启动生产8GB DDR4工程样品；2019年底实现单月产能2万片；2020年开始规划二厂建设；2021年完成17纳米技术研发。

xintzya

长鑫存储朱一明：DRAM项目计划年内大规模投产

长鑫存储与长江存储、福建晋华并称为国产存储器三大探路者。5月15日，长鑫存储董事长朱一明透露，公司已累计投入25亿美元研发费用，建成严谨合规的研发体系和独有技术体系。
构建技术体系
5月15日，在全球半导体联盟（GSA）与上海市集成电路行业协会共同举办的存储峰会上，DRAM生产商长鑫存储介绍自身的建设经历和知识产权体系。
DRAM产业在全球发展了几十年，制程技术持续进步，在架构、制程、设计、接口、测试、系统等方面存在很多专利，且绝大部分控制在三星、海力士和美光手中。新进者是否拥有合规的技术来源以及自主创新能力成为立足发展的关键。
朱一明表示，长鑫存储通过自主研发再创新，累计投入25亿美元研发费用，建成了严谨合规的研发体系，并结合当前先进设备完成了大幅度的工艺改进，开发出独有的技术体系，拉近了与世界先进水平的技术差距。长鑫存储完成了第一座12英寸DRAM存储器晶圆厂的建设，技术和产品研发有序开展。目前，制造工艺进展顺利，已持续投入晶圆超过15000片。
DRAM即动态随机存储芯片，是最常见的系统内存，广泛用于PC、手机、服务器等领域，是集成电路产业产值占比最大的单一芯片品类。中国大陆是该芯片最大的应用市场，却几乎不拥有自主产能，韩国三星、海力士、美国美光垄断了该产业95%的产能。
2016年，长鑫存储项目启动，是中国大陆少有的DRAM设计和制造一体化项目（IDM），当时与长江存储和福建晋华并称为中国存储产业的三大探路者，备受业界瞩目。
_ueditor_page_break_tag_ 进军存储主流市场
2016年，朱一明“二次创业”投身于长鑫存储。他创办的兆易创新于2016年已成功登陆A股，并是中国大陆细分存储芯片设计领域的领头羊。2018年，朱一明还辞去了兆易创新CEO一职，以便在长鑫存储全力以赴。
兆易创新在NOR Flash领域已经成长为全球龙头。但NOR不是存储器市场的主流产品，朱一明一直希望走进主流市场，再上一个台阶。
在合肥和兆易创新的共同推动下，长鑫存储正式成立。整个长鑫存储项目预计总投资超过72亿美元，工程将分3期完成，预计月产能将达12.5万片。
2017年10月，兆易创新公告，与合肥产投签署合作协议，约定双方在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器（含DRAM等）研发项目，项目预算约为180亿元人民币，目标是在2018年12月31日前研发成功，即实现产品良率不低于10%。该项目由公司和合肥产投按照1：4的比例负责筹集，公司负责筹集约36亿元。双方约定，若按期实现项目目标，则应合肥产投要求，兆易创新有义务在目标实现后5年内，通过自身和/或第三方收购合肥产投在该项目中的权益。
2019年4月30日，兆易创新公告，与合肥产投、长鑫集成签署《可转股债权投资协议》，以可转股债权方式对长鑫存储项目投资3亿元，履行前述合作协议中约定的部分筹资义务。
朱一明说，相比创办兆易创新，长鑫存储的挑战和风险更多。当时的公告就列出了市场风险、新产品替代、人才引进、知识产权、设备进口五大风险。
存储器是重资产产业，长鑫存储总投资过千亿，人才费用、设备折旧、研发投入持续成为公司的压力。
_ueditor_page_break_tag_ 机遇挑战并存
2016年第二季度开始，存储器价格一路飙升。据WSTS数据，2017年全球存储器市场规模达到1240亿美元，同比增长61.5%，成为集成电路最大细分领域，市场份额30.1%。具体看，DRAM销售额为728亿美元，同比增长74%；NAND Flash销售额为492亿美元，同比增长44%。存储器价格上涨，助推全球半导体市场以20%以上的增速增长。
经历两年的疯狂上涨后，存储器市场进入深度调整期，各大内存厂产能持续增加，NAND和DRAM均供过于求，价格持续走低。集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）指出，受库存过高影响，2019年第一季度，DRAM合约价跌幅持续扩大，整体均价已下跌逾20%。然而，价格加速下跌并未刺激需求回暖，预计DRAM均价跌势恐将持续至第三季度。
按照计划，2019年下半年，长江存储将正式量产64层Xtacking 3D NAND产品，长鑫存储则有望在今年第三季度大规模量产。市场情况不容乐观，这些企业可能面临量产即亏损的挑战。
长江存储执行董事长高启全曾接受记者采访时表示，要达到20%的市占率才能存活。不过，“十年之内不应该看价格，达到一定的良率、一定的品质才能确保量产时不亏大钱。如果短时间内赶上世界水准的良率和成本，量产时不亏大钱，就能把整个大陆的芯片产业带动起来。”
从整个产业发展角度看，国产存储厂商崛起有利于带动整条产业链国产化率水平提升。国泰君安研报指出，长江存储是目前对于国产设备最为友好的产线之一。2017年-2018年，长江存储共采购了17批共计约2000台设备。其中，中微公司供应刻蚀设备，盛美半导体和北方华创等贡献清洗设备，被亦庄国投收购了的Mattson贡献去胶设备、热处理设备等。展望2019年，项目已进入第二阶段2万片产能爬坡期，处于设备采购与搬入的高峰阶段，北方华创、中微公司等设备厂商有望加速实现供应。
随着5G、大数据、物联网和AI等应用的兴起，服务器和数据存储迎来了巨大的市场需求。市场分析机构IHS Markit预测，未来几年，服务器DRAM需求高速增长，智能手机DRAM需求将保持28%的增长率，整体DRAM供需增长将保持在20%左右。IC Insights预测2019年DRAM市场规模将突破1000亿美元。
朱一明说，人工智能、5G应用落地带动DRAM需求进一步增长，将为新厂商提供商机。同时，新厂商将面临诸如成本、质量、市场接受度等挑战。