中国核心科技【十姐妹】：Huawei、Tencent、BYD、SICARRIER、Alibaba、DJI、DouYin...

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                                                                             EUV光刻机
                                                                SICARRIER    VS    ASML


突破美国封锁！陆版「曼哈顿计划」传打造出EUV光刻机原型
2025年12月18日  

路透引述消息人士报导，中国科学家今年初在深圳打造出一台极紫外光（EUV）光刻机的原型机，将用于生产先进半导体晶片，这些晶片将为人工智慧（AI）、智慧手机，以及现代武器系统提供动力。


这项被形容为「中国曼哈顿计划」的秘密工程项目，凸显中国锐意在AI晶片技术领域与西方匹敌。所谓「曼哈顿计划」，即美国秘密研制原子弹的战时计划。

这台EUV光刻机由荷兰晶片设备制造商ASML的前工程师打造，他们对ASML的EUV光刻技术进行逆向工程。中国的原型机能够成功产生EUV光，但尚未生产出能运作的晶片，政府的目标是在2028年实现晶片生产，但更有可能到2030年才实现量产。

这项计划在中国国家半导体战略框架下运作，并由****监督，华为在其中扮演核心角色，负责协调一个由国家科研院所、供应商和工程团队组成的网络，这个网路涉及数千名工作人员。

EUV光刻机是全球晶片竞赛中最精密的制程之一，利用极紫外光在硅晶圆上蚀刻出超精细电路，从而能够生产出世界上最强大的晶片。此前，这项技术一直被西方供应商垄断，中国的目标是最终使用完全国产的设备生产先进晶片，从而摆脱对美国及其盟友供应链的依赖。




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                                                                            Litholithography Machine




据路透社在12月17日的消息称，国产EUV光刻机原型机已经在深圳的某实验室中完成制造，目前已经能成功产生极紫外光，但原型机目前正处于测试阶段，尚未用于芯片制造。



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极紫外线光刻机（EUV光刻机）是以10~14纳米波长的极紫外光为光源的光刻设备，系生产大规模集成电路的核心设备，主要应用于2-14纳米先进制程芯片制造‌，其技术突破与国产化进展正重塑全球半导体产业格局。

技术原理与核心应用
EUV光刻机通过高功率激光轰击锡微滴激发等离子体产生13.5nm极紫外光，核心投影物镜系统由多层反射镜构成，需在真空环境中运行以降低光吸收。其技术优势在于：


单次曝光实现7纳米以下制程，相比DUV光刻机的多重曝光技术，简化工艺流程并提升精度；

应用领域集中于高端芯片，如智能手机SoC、AI加速器及高性能计算芯片，支撑5G、人工智能等前沿产业发展。

全球发展与中国国产化突破

国际动态：

阿斯麦（ASML）主导市场，2025年12月英特尔安装全球首套二代High-NA EUV系统（TWINSCAN EXE:5200B），套刻精度达0.7nm，计划2027-2028年量产；;


中国进展：

2025年12月，深圳平湖实验室成功测试EUV原型机;，完成极紫外光生成验证，为全面国产化奠定基础.







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