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发表于 2019-9-27 22:57:48
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本报讯 记者昨天获悉,总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目在2019世界制造业大会上宣布投产,其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相,一期设计产能每月12万片晶圆。
该项目以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为目标,2016年5月由合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易创新共同出资组建,是安徽省单体投资最大的工业项目。目前,项目已通过层层评审,并获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。
9月20日,2019世界制造业大会在合肥开幕,长鑫存储技术有限公司在大会上宣布: 总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目正式投产,其与国际主流动态随机存取存储芯片(DRAM)同步的10纳米级第一代8Gb DDR4在大会上首度亮相,一期设计产能达每月12万片晶圆,首批芯片今年底将会送到客户手中 。“预计三期满产后,产能可以达到每月36万片。”长鑫存储技术有限公司董事长兼首席执行官朱一明透露。 |
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