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发表于 2022-10-20 23:20:12
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金春水率领的长春光机所项目研究团队秉承锲而不舍的科研精神,潜心钻研,厚积薄发,历经八年的艰苦奋战,突破了制约我国极紫外光刻发展的超高精度非球面加工与检测、极紫外多层膜、投影物镜系统集成测试等核心单元技术,成功研制了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统,构建了EUV 光刻曝光装置,在国内首次获得EUV 投影光刻32 nm 线宽的光刻胶曝光图形。
金春水说:“我们建立了较为完善的曝光光学系统关键技术研发平台,圆满完成国家重大专项部署的研究内容与任务目标,实现EUV 光学成像技术跨越,显著提升了我国极紫外光刻核心光学技术水平。” |
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