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三星电子在Computex 2026上首次亮相第八代HBM5原型，引入HPB热管理创新技术，并宣布已于5月率先交付12层HBM4E样品。得益于通用DRAM价格全线上涨强化其定价权，韩国存储巨头迎来全面盈利爆发，大摩预测三星今年营业利润同比增幅将达464%。
三星电子首席技术官Song Jae-hyuk在展会上表示，随着AI系统日趋复杂，从存储、晶圆代工到逻辑芯片与封装的全价值链竞争力愈发关键。HBM5的核心技术亮点是名为Heat Path Block（HPB）的热管理创新，通过在半导体晶圆之间引导热量流动，有效缓解高密度堆叠芯片中的热量积聚问题，从而提升性能稳定性与运行可靠性。
HBM5：热管理突破与先进工艺路线
三星此次展出的HBM5原型以HPB热管理技术为核心创新点。随着AI模型运算需求持续攀升，存储带宽随之提升，密集堆叠芯片中的热量积聚问题日益突出，直接威胁芯片的性能表现与使用寿命。三星表示，HPB技术通过在半导体晶圆之间引导热量，将其从关键区域疏散，从而改善整体运行稳定性。
该技术已在HBM4E平台完成验证，计划随HBM5正式商用。Song Jae-hyuk表示，具体推进节奏将视客户需求而定，不排除提前商用的可能。在工艺层面，HBM5计划引入三星第六代10纳米级DRAM制程（1c DRAM）及2纳米逻辑工艺节点。
Song Jae-hyuk进一步指出，HPB技术的实现需要对芯片架构多个层次进行重新设计并协同整合，三星作为集存储、晶圆代工与封装于一体的综合半导体制造商，具备其他厂商难以复制的跨环节协同优势。此外，三星正准备成为业内首家部署混合铜键合（hybrid copper bonding）先进封装技术的厂商，该技术可进一步提升散热效率与芯片性能，相关样品已向多家客户提供。
在HBM4E层面，三星已于5月下旬率先向全球主要客户发货12层HBM4E样品，成为业内首家出货该产品的厂商。HBM4E引脚传输速度稳定在14Gbps，可扩展至16Gbps，较HBM4提升逾20%，每堆栈带宽达3.6TB/s，容量48GB，较上一代增加逾30%。 |
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发表于 2026-5-29 12:15:59
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