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发表于 2019-5-27 23:24:07
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闪存和内存之间技术差异虽然没有存储和逻辑芯片之间那么大,但是毕竟也存在根本上的不同的。
尤其是存储颗粒,DRAM目前普遍还是晶体管和电容组成的单元,基本架构一直没太大变化,
制造工艺上难度更大;而NAND并不是,基本单元还是有一些新的发展方向的。
我觉得长江存储短期内专注于NAND挺好的,DRAM方面福建晋华和合肥长鑫已经先行了,
而且它们本身也有不同的侧重,并没有直接竞争
反倒是新成立的三维集成联盟有点意思,因为不管NAND,DRAM还是别的什么芯片,
三维集成技术都是个趋势,而且有存在共性的地方
所以如果把这个做好做大了,虽然武汉没有直接做DRAM的自研自造,但同样能深入参与到产业链
中,分享整个行业发展带来的红利。 |
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