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楼主: anson908

[江城资讯] 2020年5月29日(周五)武汉新闻汇总

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发表于 2020-5-30 15:38:43 | 显示全部楼层
本帖最后由 巴山楚仁 于 2020-5-30 15:42 编辑

三四月份坛子里很多人对武汉复工复产、经济全面恢复都比较乐观。我一直不是很乐观。

因为现在没有一个城市能靠自身产业链自我循环的,都是社会分工大协作,谁也不敢说自己能做到独善其身。

疫情对武汉的深层次打击不仅仅是些个确诊患者和病亡者的数据,而是武汉因此成为全国各地人心中的“疫区”,对武汉有心理排斥。这个排斥感一时半载是不能消除的。其结果就是外地人不来武汉,也不希望武汉人去外地。无形中将武汉隔离为一个“孤岛”。于是原来产业链分工协作中武汉所拥有的那部分份额就会被其他地区顶替,其结果是武汉产业发生萎缩、停滞。而武汉产业链中离不开外地的那部分武汉自己也不能填补,还是依赖外地供给。这样情形下武汉产业复苏自然就缓慢。这是制造业,严格地说这些影响还不是致命的,过个一年半载也可能好转,只是目前还无法改变。

最大的打击是就业率最大的三产,尤其是服务型行业。由于外地人不来武汉,武汉的零售业、餐饮、酒店、旅游、会展等几乎看不到全面恢复的希望,民航业和陆路客运打击也是很沉重的。想想香港五一期间的萧条,就可以推算出今年未来几个月武汉的三产复苏脚步会多么缓慢。这一块恰恰是武汉就业人口最多的。

武汉是高教大市,拥有百万高校生。疫情之下高校复学之路艰难,百万年轻活泼的青年人不在武汉,不仅拖累武汉三产复苏之路,也因此少了很多青春活力,影响更多年轻人留在武汉的希望和信心。

所以,武汉极其需要“搭把手”、“帮一把”,这就是武汉乃至湖北的现实。如果没有国家层面的支持,武汉及湖北的复苏之路会十分艰难,当然最终依靠武汉和湖北人民的艰苦努力,还是能走出困境的,但是,时间拖得太久。武汉和湖北在疫情时期做出的巨大牺牲,也自然需要国家层面的鼎力帮扶,能快速走出困境是最好的。

这点,关键还是在主政者。
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发表于 2020-5-30 15:56:46 | 显示全部楼层
疫区这顶帽子不摘下来,武汉想走出困境,将是异常艰难。全国各地目前多武汉、对湖北的态度仍然没有改观,仅仅是个别的地区相对来说还算好一点而已。更多的地方,对待武汉、湖北,都有点变态的、过度防御了。武汉是否能够走出困境,仅仅靠自己远远是不够的,关键的推手只有主政者。
即便这样艰难的情况下,仍还有个别地区,个别媒体在添油加醋,煽风点火,真的应该借此机会把那些无良的媒体,包括那些城市无良的宣传部门给以处罚。
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发表于 2020-5-30 16:08:39 | 显示全部楼层
巴山楚仁 发表于 2020-5-30 15:38
三四月份坛子里很多人对武汉复工复产、经济全面恢复都比较乐观。我一直不是很乐观。

因为现在没有一个城 ...

支持支持!!!
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发表于 2020-5-30 16:10:05 来自手机 | 显示全部楼层
我想问一下,03年是这样的吗?帝都和妖都?还是因为现在网络太发达了?
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发表于 2020-5-30 16:14:03 | 显示全部楼层
03年到了夏天非典消失的很彻底了,传播范围和新冠也根本不能比!
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发表于 2020-5-30 16:15:53 | 显示全部楼层
去武汉周边的县市看了下,情况其实比武汉好多了。基本上都是该干什么干什么了。武汉主要一个是本身疫情严重,另一个第三产业占比大,而这个对第三产业打击又大。这两天无症状感染者慢慢少了。
其实年后从湖北出去几百万人,中间也有不少绿码被查出来阳性的,但没有发生一起像吉林那种聚集性感染,也就是发现一例就那一例。说明很多无症状的体内就是死病毒。再坚持一段时间连无症状感染的都没有了。到十月后再拉起防线,就好了,今年不好大家其实都有心理准备,失望主要是还是没有等都想要的东西,至少现在还没有看到。其他城市又能好到哪里去呢,我看今冬沿海的防控形势比武汉还严峻,除非永远锁着。
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发表于 2020-5-30 16:20:25 | 显示全部楼层
本帖最后由 你的头发好长 于 2020-5-30 16:23 编辑
phoenix44 发表于 2020-5-30 16:10
我想问一下,03年是这样的吗?帝都和妖都?还是因为现在网络太发达了?


确实不是一个级别的,看丑国就知道了。这次主要是遇到春节大扩散。
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发表于 2020-5-30 16:26:16 | 显示全部楼层
cornucopia 发表于 2020-5-30 14:24
每次看到这个项目都觉得好梦幻,但他真的就是成了,希望早日能够看到实质的研发成果!

这个项目太神秘了,有些不可思议
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发表于 2020-5-30 16:27:43 来自手机 | 显示全部楼层
你的头发好长 发表于 2020-5-30 16:20
确实不是一个级别的,看丑国就知道了。这次主要是遇到春节大扩散。


那时候网络也跟现在不能比,现在手机里网络,群,短视频,自媒体太发达,很容易妖魔化,03年的大部分人连手机都没有,有手机也是功能机,接收消息基本上是从电视台,报纸。
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发表于 2020-5-30 16:29:35 来自手机 | 显示全部楼层
的确,有人或媒体总把眼睛盯住重点工程或重点项目,但复工复产不只是这些,况且三产战了武汉GDP的50以上;现在里面的人出不去(无奈),外面的人进不来(不敢),其它无从谈起,马上毕业的大学生怎么着工作,能不能留下来;马上的高考,能不能倾斜,多招本省学生,都还没有谱;教育部搞个虚无缥缈的一帮一,有个卵用。只能再熬三个月,等100多万大学生返校,中小学幼儿园开学,能够好一点。
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发表于 2020-5-30 16:32:43 | 显示全部楼层
这个时候短期内想大步缩小跟三星台积电的差距最直接的方法就是挖人了,所以能挖就挖。
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发表于 2020-5-30 16:49:31 来自手机 | 显示全部楼层

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发表于 2020-5-30 17:07:46 | 显示全部楼层
lmlaaron 发表于 2020-5-30 15:09
感觉有点吹牛啊,一个新厂直接就能搞14nm,那中芯国际不是太废了。即使能搞出来也面临很多专利问题吧。


厂是新的没错,但不代表员工都是应届毕业大学生。

现有的芯片厂,中芯国际、长江存储,包括业内某大厂等等,都有从业多年的有经验员工,弘芯是高薪挖人组建研发团队。

有那么多参与过先进制程研发的员工做班底,弘芯搞14nm并没有你想象的那么难。


实际上,现在就是要让外界都认为弘芯不可能成功才好!
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发表于 2020-5-30 17:14:06 | 显示全部楼层
武汉应该学会闷声发大财。长存已很招人眼红了,所以弘芯低调点很好,要学会隐忍。让那些网红城市蹦达吧,看它们能蹦多高。只有厚积搏发才能一飞冲天,武汉总会迎来那一天的。
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发表于 2020-5-30 17:32:35 | 显示全部楼层
本帖最后由 楚之游侠 于 2020-5-30 20:49 编辑

芯片制程突破到14纳米其实并没有那么难。

现在的制程研发中,真正的两个门槛,其实是20纳米和10纳米。


讲制程研发,首先要讲到个概念“金属-氧化物-半导体场效电晶体”(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)

构造如图所示,左边灰色的区域(矽)叫做“源极(Source)”,右边灰色的区域(矽)叫做“汲极(Drain)”,中间有块金属(红色)突出来叫做“闸极(Gate)”,闸极下方有一层厚度很薄的氧化物(黄色),因为中间由上而下依序为金属(Metal)、氧化物(Oxide)、半导体(Semiconductor),因此称为“MOS”。



当闸极不加电压,电子无法导通,代表这个位元是 0,如图一(a)所示; 当闸极加正电压,电子可以导通,代表这个位元是 1,如图一(b)所示。


MOSFET 是目前半导体产业最常使用的一种场效电晶体(FET),如果将它制作在矽晶圆上,是数位讯号的最小单位,一个 MOSFET 代表一个 0 或一个 1,就是电脑里的一个“位元(bit)”。

电脑是以 0 与 1 两种数位讯号来运算。基本的工作原理,就是利用矽晶片的 MOSFET,通过金属导线相互连接,让电子讯号在其间流通产生交互运算,得到试用者想要的结果。



从上述概念的讲解中,我们可以知道MOSFET中比较关键的,就是闸极长度(Gate length),由于是所有构造中最细小也最难制作的,因此业界常常以闸极长度来代表半导体制程的进步程度,这就是所谓的“制程线宽”。通常大家谈的什么14纳米制程,7纳米制程,实际就来源于这个闸极长度。


早起的0.18微米,0.13 微米,进步到 90 纳米、65 纳米、45 奈米、22 纳米等等,当闸极长度越小,则整个 MOSFET 就越小。



但是从MOSFET 的结构自发明以后,使用超过几十年,制程研发到20纳米的时候,遇到了巨大的问题。最麻烦是闸极长度越小,源极和汲极的距离就越近,闸极下方的氧化物也越薄,电子有可能偷偷溜过去产生“漏电(Leakage)”。

而且,原本电子是否能由源极流到汲极是由闸极电压来控制的,但是闸极长度变得太小以后,则闸极与通道之间的接触面积(图一的红色虚线区域)也就变小,相当于闸极对通道的影响力减弱。所以保持闸极和通道的接触面积就成为难题。


由于上面这个问题的存在,所以突破20纳米制程才被称为门槛。


后来还是加州大学伯克利分校的胡正明等教授发明了“鳍式场效电晶体(Fin Field Effect Transistor,FinFET)”,把原本 2D 构造的 MOSFET 改为 3D 的 FinFET,这才找到了进入20纳米制程的钥匙。

如图二所示,因为构造很像鱼鳍 ,因此称为“鳍式(Fin)”。


由图中可以看出原本的源极和汲极拉高变成立体板状结构,让源极和汲极之间的通道变成板状,则闸极与通道之间的接触面积变大了(图二黄色的氧化物与下方接触的区域明显比图一红色虚线区域还大),这样一来即使闸极长度缩小到 20 纳米以下,仍然保留很大的接触面积,可以控制电子是否能由源极流到汲极。


从20纳米研发到14纳米,还是在这个FinFET上做文章。和之前突破20纳米需要新理论来支撑不是一个概念的难度。



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