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发表于 2024-12-27 09:11:10
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武汉新芯有这个研发能力,nor flash的也是存储器,而且是非易失性存储芯片,比dram技术含量更高,只是没有设备生产,设备生产一步到位,直接量产HBM,而且新芯本身就是具备硅通孔(TSV)技术的厂家,可以说只要设备到位,即可量产,当然要符合某公司特定的产品,那肯定要合作研发的
在三维集成领域,新芯股份的晶圆级三维集成技术可在垂直方向上将载片或功能晶圆堆叠,或将芯片与晶圆进行堆叠,并在各层之间通过硅通孔(TSV)、混合键合(Hybrid Bonding)等工艺实现直接的电气互连。公司已积累多年的大规模量产经验,成功构建双晶圆堆叠、多晶圆堆叠、芯片-晶圆异构集成和硅转接板2.5D Interposer等工艺先进、设计灵活的晶圆级三维集成代工平台。该平台能提升芯片间的互连密度并缩短互连长度,更好降低延时,满足低功耗、小尺寸等要求,为后摩尔时代全新架构的芯片系统提供创新解决方案。
NOR Flash的技术含量相对较高‌。NOR Flash和DRAM虽然都是存储器技术,但NOR Flash在技术复杂性和制造难度上更高。
技术复杂性和制造难度
‌NOR Flash‌:NOR Flash属于通用型非易失性存储芯片,基于NOR结构的闪存芯片。其特点包括芯片内执行(XIP),这意味着应用程序可以直接在闪存内运行,无需在系统RAM中查看代码。NOR Flash具有良好的随机访问能力、较快的读取速度和可靠耐用的特性,适用于执行代码和读取关键数据‌1。
‌DRAM‌:动态随机存储器(DRAM)的基本单元是一个晶体管加一个电容,电容漏电较快,需要周期性地刷新以保持数据。DRAM的制造工艺相对简单,主要用于临时存储数据,断电后数据会丢失‌2。
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