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发表于 2018-4-11 17:13:50
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国家存储器基地今日开始装机,64层闪存研发进步迅速
国家存储器基地项目今正式装机
2018年4月11日,由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目,以“芯存长江,智储未来”为主题,庆贺存储器基地芯片生产机台设备正式进场安装,标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入试生产、投产阶段,中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。万勇市长、陈瑞峰常务副市长、徐洪兰副市长出席,我委刘卫军副主任参加活动。
国家存储器基地一期规划投资240亿美元,占地面积1968亩,建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND闪存生产厂房。2016年12月30日,长江存储新建的国家存储器基地项目(一期)开工建设,2017年9月长江存储一号生产及动力厂房实现提前封顶,2018年2月份进行厂内洁净室装修和空调、消防等系统安装,二季度生产机台设备搬入,力争三季度实现3D NAND试产。项目一期达产后,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。
武汉市委副书记、市长万勇表示,国家存储器基地机台搬入,是“中国芯”的一大步,也是“新武汉造”的一大步。32层闪存产品研发成功、64层闪存产品研发进展迅速,标志着中国企业在填补芯片领域空白迈出了重要的一步,进一步拉近了我国在高端芯片领域与少数先进国家并跑的距离,这让我们尤其感到振奋和自豪。期待今年10月设备点亮投产,期待明年底64层闪存产品产能爬坡量产,期待“中国芯”在全球市场反响良好,期待基地第二、第三工厂尽早开工建设;“中国芯、武汉造”即将成为现实,中国“缺芯少屏”的历史将由此改写。 |
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