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发表于 2019-7-1 12:27:55
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本帖最后由 romano320 于 2019-7-1 12:30 编辑
楚之游侠 发表于 2019-7-1 12:11
紫光存储旗下的，西安紫光国芯半导体有限公司在去年都已经推产品了。号称是中国第一款自主研发的电脑DDR4 ...
目前全球的存储芯片三巨头，三星、海力士、美光，都是既做DRAM又做3D NAND。据知情人透露，紫光集团在收购美光遇阻后，原计划通过自行研发先进入DRAM领域，然后再进入3D NAND，但在国家集成电路产业基金的协调下，紫光和湖北省、武汉市合作，与国家集成电路产业基金一起，在武汉新芯的基础上，组建了长江存储，制定了先三维闪存，后DRAM的战略，同时布局DRAM的研发，积蓄DRAM的工艺人才。
据知情人透露，紫光集团借助长江存储和武汉新芯的平台，聚集了大量的3D NAND和DRAM的工艺研发人员，工艺研发人员人数近2000人。目前长江存储和武汉新芯的员工人数近6000人。
据了解，目前长江存储的32层3D NAND已经量产，并且即将于今年年底量产的64层Xtacking 3D NAND，其存储密度仅比竞品96层的3D NAND低10~20%。而下一代，长江存储将直接跳过96层堆叠，直接进入128层堆叠的研发。
从紫光集团旗下长江存储的3D NAND闪存的研发和生产来看，紫光集团走的是公开式的自主研发路径，没有人质疑其知识产权问题，这主要是因为NAND闪存技术正从2D走向3D这也使得其得以有弯道超车的可能。
相比之下目前DRAM技术已经是相当成熟，想要绕过国外DRAM巨头的技术并不容易。
所幸的是，2009年破产的德国DRAM厂商奇梦达，其西安研发中心当时已经被西安华芯（原浪潮集团旗下公司，今天的紫光国芯）收购。这也为紫光的DRAM的研发奠定了基础（此前，长鑫存储公开其DRAM技术来源也是奇梦达，因此外界认为是紫光与长鑫存储共享了该技术），同时也能够避免一些专利问题。
但是，需要指出的是，奇梦达此前所采用的是DRAM技术是深沟槽式（Trench），而目前主流的技术路线是堆栈式（Stack）。在沟槽式DRAM的制造中，必须先在基板蚀刻出沟槽，然后在沟槽中沉积出介电层，以形成电容器，然后在电容器上方再制造出栅极，构成完整的DRAM Cell。这种工艺最大的技术挑战有二，一是随着线宽越来越细，沟槽的宽深比跟着增加，如何蚀刻出这种沟槽，是相当大的技术挑战。其次，在进行沉积工艺时，由于沟槽的开口越来越细，要在沟槽里面沉积足够的介电材料，形成容值够高的电容器，也越来越难。相较之下，堆栈式DRAM则没有上述问题。
如果紫光DRAM继续沿着奇梦达的技术路径向前推进的话，显然将会非常的艰难，但是如果走堆栈式技术路径的话，可能又将遭遇国外DRAM厂商的专利围堵，那么在奇梦达技术的基础上，紫光是否能够通过自主研发，走出新的路径呢？我们拭目以待。
这偏报道说紫光和湖北省、武汉市合作，与国家集成电路产业基金一起，在武汉新芯的基础上，组建了长江存储，制定了先三维闪存，后DRAM的战略，同时布局DRAM的研发，积蓄DRAM的工艺人才。
要是按照这个路走就好了 |
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