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[江城资讯] 2019年6月26日武汉新闻汇总

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发表于 2019-6-26 21:27:35 | 显示全部楼层
学校两个校区命名“南望山校区”“未来城校区”
发布人:张磊发表时间:2019-06-25点击:2275次
  地大新闻网讯(通讯员屠傲凌)学校新校区建设自2015年正式动工以来,经过艰苦创业、不懈努力,一座崭新的生态型、现代化大学校园巍然屹立于“武汉每天最早迎接朝阳的地方”,“五位一体”的新校区发展宏伟蓝图正在变成现实。
  根据学校办学资源实际情况,为规范校区名称,经广泛征求师生、校友及社会各界的意见建议,学校研究决定,两个校区命名为南望山校区、未来城校区。南望山校区注册地址为湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号,邮编430074;未来城校区注册地址为湖北省武汉市东湖新技术开发区锦程街68号,邮编430078。
  校区命名体现了学校“艰苦朴素、求真务实”的校训精神,将历史传统与时代创新相结合,着眼于学校长远发展,体现传承性与开拓性。南望山谐音“难忘”,表达了广大师生难忘南迁办学的岁月,见证了一代一代地大人奋发努力的昨天,记录着每一个地大学子美好的青春时光,是联结地大人的情感纽带,是广大校友母校情节的文化符号。未来城的“未来”,承载着地大人对学校发展的希望与梦想,表达出地大人不忘初心、砥砺前行的情怀与魄力,饱含着广大校友对母校发展的美好愿望与深情祝福,象征着学校事业发展将翻开新篇章,未来城校区将于2019年秋季学期正式启用。
  据悉,6月初,学校通过官方微信公众号,面向广大师生、校友和社会各界,公开征求两个校区命名的意见和建议。征名方案公布后,受到广泛关注,截止6月中旬,共收到投票8200余票,留言和建议500余条。感谢全校师生、校友和社会各界对校区命名的关心、支持和参与。
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发表于 2019-6-26 21:57:22 | 显示全部楼层
九峰中学更名武汉市光谷第一初级中学,今日挂牌

19分钟前 · 楚天都市报官方账号
楚天都市报6月26日讯(记者张屏 通讯员杨婷婷)武汉市光谷九峰中学更名为武汉市光谷第一初级中学,今日,该校举行了挂牌仪式。

九峰中学已有55年历史,2008年由东湖高新区托管,2014年9月搬入新校区。“学校设施先进,区位一流,旁边就是东湖高新区管委会,学校必须大步前进,使办学水平与片区经济发展匹配,以回应居民对优质教育的期待。”武汉市光谷第一初级中学校长黄凤超说,更名将成为该校实现跨越式发展的契机。

“高新区是优质资源扩张的爆发区,我们从小学到初中、高中,都在高位嫁接优质教育资源,引进优秀人才、优秀品牌学校。这对我们提升教育品质、办人民满意的教育很有帮助。”东湖高新区教育文化体育局副局长顾绍山说。
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发表于 2019-6-26 21:59:43 | 显示全部楼层
楚之游侠 发表于 2019-6-26 11:36
关键是武汉每年要花钱的地方太多,不可能一味扩大补贴和其他城市来竞争, 这种畸形的状态并不可取。

...

法兰克福、旧金山、温哥华、墨尔本
这四条航线的含金量很高,青岛不到五个亿的补贴,想必武汉会更为低一些,毕竟武汉的客流相比青岛只强不弱。
之前看过关于武汉地铁的预算,十三号线的预算是一百多个亿,这还是当时基于第四轮批下十三号线的预算,十二号线自然就更多了,这么对比航空补贴还是划算的。
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发表于 2019-6-26 22:03:21 | 显示全部楼层
本帖最后由 长江大桥 于 2019-6-26 22:06 编辑

“颠覆行业”,长江存储Xtacking 2.0即将到来

观察者网

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(文/观察者网 陈兴华)
5月15日,在GSA Memory+高峰论坛上,长江存储联席首席技术官汤强表示,为了应对数据量增长对存储器的挑战,长江存储将在今年8月正式推出Xtacking 2.0技术。他还表示,利用Xtacking技术,NAND的I/O速度有望达到行业颠覆性的3.0Gbps。

汤强首先提到,当前正处于一个数据大爆炸的时代,预计到2022年,NAND的容量需求将会接近2015年的10倍,并将持续增长下去。但是实际上,数据和存储能力的增长严重不对等,存储容量的增长远远落后于需求的增长。
但是,他同时表示,目前为了追求更高的存储容量,存储技术正从MLC向TLC向QLC等发展。另外,对于各种应用场景的需求,实际上是需要越来越多的定制化的存储方案来与之对应。而一项新的存储解决方案的开发往往需要12-18个月的周期。
汤强将上述问题总结为行业正面临三大挑战,包括I/O接口速度、容量密度和上市周期。对此,他强调,长江存储去年推出了Xtacking技术,该技术不仅提高了I/O接口速度,而且还保证了3D NAND多层堆叠可达到更高容量,以及减少上市周期。
据介绍,采用Xtacking技术,可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路,使得NAND获取更高的I/O接口速度及更强的操作功能。存储单元将在另一片晶圆上独立加工。当两片晶圆各自完工后,XtackingTM技术只需一个处理步骤就可将二者键合接通电路,且成本增加有限。

长江存储日前公布的数据显示,在传统3D NAND架构中,外围电路约占芯片面积的20-30%,这也使得芯片的存储密度大幅降低。而随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高,外围电路所占据的芯片面积或将达到50%以上。Xtacking技术则可将外围电路置于存储单元之上,从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。
据了解,目前NAND闪存主要掌握在三星、东芝、美光、西数等公司中,而长江存储只小批量生产32层堆叠闪存。不过,将于今年底量产的64层Xtacking 3D NAND是长江存储今明两年生产的主力。集邦咨询半导体研究中心预计长江存储到年底至少为60K/m的投片量,而其竞争者达到200K/m以上。
为了尽快缩短与国外厂商的差距,长江存储采取了“跨跃式”发展。在下一代闪存技术上,长江存储将直接跳过三星、美光、东芝、Intel等公司现在力推的96层堆叠闪存,直接进入128层堆叠的研发,这几家公司预计在2020年才会推出128层堆叠的闪存。
据悉,在I/O速度方面,目前NAND闪存主要有两种I/O接口标准,分别是Intel/索尼/SK海力士/群联/西数/美光主推的ONFi,目前ONFi 4.1标准的I/O接口速度最大为1.2Gbps。第二种标准是三星/东芝主推的ToggleDDR,I/O速度最高1.4Gbps。

对此,汤强在本次论坛上表示,目前世界上最快的3DNAND的I/O速度目标值是1.4Gbps,大多数NAND供应商仅能供应1.0Gbps或更低的速度。利用Xtacking技术,有望大幅提升NAND的I/O速度到3.0Gbps,与DRAM DDR4的I/O速度相当。这对NAND行业来讲将是颠覆性的。
另外,他还提到,Xtacking技术还可使得产品开发时间缩短三个月,生产周期可缩短20%,从而大幅缩短3D NAND产品的从开发到上市周期。与此同时,Xtacking依然处于不断进化之中。

目前,Xtacking技术已经成功应用于即将量产的长江存储的第二代3D NAND产品(64层堆叠)。汤强还表示,今年8月推出新一代的Xtacking 2.0技术有望将长江存储的3D NAND提升到一个新的高度。Xtacking将是存储的未来。
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发表于 2019-6-26 22:12:22 | 显示全部楼层
中国芯片突破2:卖得出去很重要,世界第3大U盘商主推长江存储芯

06-20 07:17
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闪存芯片迅速跌至成本价的3大原因
之前Samsung存储芯片乱涨价,但仅仅一年多的时间, Flash芯片急速跌至成本价。原因一是智能手机全球销量降低;原因二是“成也服务器、败也服务器”,因为线上电商要处理更多消费者的下单需求,像是“双十一”的线上流量爆炸,这些都需要采购更多的服务器来应对,而前两年这些电商对于服务器的需求可说是“登峰造极”,目前因为景气放缓,服务器已经建的差不多了,需求下滑比较严重;原因三是中国的长江存储非常快将大规模量产64层3D NAND Flash芯片,只要中国加入竞争,这个行业一般价格自然会应声下跌。
长江存储的 Flash芯片第一阶段不愁卖
Samsung为了保住霸主地位,想用低价让中国长江存储的 Flash芯片在没站稳的情况下,亏损顶不住,然后直接出局。不过,有HW小米OV和传音等众多手机工厂的强力支持,年底大规模量产的第一阶段,长江存储的 Flash芯片产量只有一线存储芯片大厂的20%,应该说暂时不愁卖。

深圳公司收购全球第3大U盘品牌公司,助力长江存储布局国际市场
中国存储芯片产业,除了HW小米OV和传音等手机产业,离不开更多下游存储模组产业,中国协同上游芯片产业的更强大布局正在成形中,其中,深圳公司江波龙绝对占有一席之地。老美Lexar雷克沙原来是镁光科技麾下的著名存储产品品牌,于1996年成立,作为全球第3大U盘品牌公司,Lexar一直是存储解决方案的全球领先品牌。

2017年镁光科技遇到非常大困难,差点被紫光收购,虽然没成功,但下游的Lexar品牌,最后还是被江波龙收购Lexar的品牌与全部专利,过去Lexar品牌擅长于北美和欧洲,未来,Lexar品牌会更着重于打开亚太市场。除了Lexar,江波龙也在成立FORESEE的自主品牌。

2018年底江波龙与紫光集团签订战略合作协议,两方更深一层深化合作。日前江波龙已采用长江存储的3DNAND芯片生产U盘,江波龙已经采用长江存储32层的3D NAND芯片,用于8GB的U盘等产品上,但毕竟32层的产品只是长江存储用来试水温的技术,证明国产自主开发自主制造3DNAND芯片的能力。
年底要等待长江存储64层的3D NAND芯片技术成熟后,在终端应用市场上会更为普及。期待新一代的64层3D NAND芯片技术量产后,江波龙与长江存储将更深一层推动中国大陆自主开发存储芯片,大规模进入中国大陆国际的终端消费市场。
闪存价格战,对中国是挑战更是机会
面对这价格急速下跌的NAND Flash芯片市场,对于中国存储芯片产业而言,是挑战,更是机会,毕竟中国不是日本,从没怕过价格战,结果也非常少会输。有HW小米OV和传音等众多国产手机工厂的护航,也有全球第3大U盘品牌的主推,将让长江存储快速获得巨大的市场份额。
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发表于 2019-6-26 22:27:16 来自手机 | 显示全部楼层
想问下,招商武汉的公众号怎么有段时间没更新了?
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发表于 2019-6-26 22:30:04 | 显示全部楼层
本帖最后由 长江大桥 于 2019-6-26 22:35 编辑

对此,三星在GSA MEMERY+论坛上表示乐观。三星透露将有望在今年量产128层3D NAND,并且预测在未来5年内,3D NAND堆叠层数将达到500层,10年内将可达到1000层。


1000层堆叠的3D NAND是什么概念?目前东芝、西数及三星的64层堆叠的3D NAND最高已经可以做到512Gbit核心容量(64GB)。另据业内专家高速芯智讯,128层堆叠的3D NAND,最高可以做到2Tbits的核心容量,也就是256GB容量。如果堆叠层数突破1000层,则意味着单die的核心容量甚至有可能达到2TB。这确实有点吓人!

要知道目前SSD硬盘上通常是由4颗NAND芯片组成的,而一旦500层甚至1000层堆叠的3D NAND的推出,则意味着SSD将会被彻底革命。



据芯智讯了解,长江存储的128层3D NAND规划的最大存储容量可以达到1.33Tbits(大约166GB)。相比之下,三星去年量产的第五代V-NAND采用96层堆叠设计,单模容量仅为256Gb。

………

如果长江存储顺利在2020年投产128层,最大存储量几乎相当于三星96层的7倍。那是不是意味着和三星的差距极大缩小?在未来几年有望实现并驾齐驱甚至是弯道超车?
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发表于 2019-6-26 22:50:44 | 显示全部楼层
本帖最后由 天下楚人 于 2019-6-26 23:00 编辑
epmgy2020 发表于 2019-6-26 19:39
如果能与HW抱团,就有很大的想象空间。突破技术壁垒,国产当自强。


不能完全这样想,HW很特别,但终究只是一个公司。应该敞开胸怀,广泛合作。
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发表于 2019-6-26 22:53:41 | 显示全部楼层
zolor 发表于 2019-6-26 19:43
5G又是一个芯片发展的高峰,武汉要抓住这个万亿级美元的市场

5G使用毫米波,十米左右范围一个小型基站,芯片的需求是巨量的
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发表于 2019-6-26 22:53:57 来自手机 | 显示全部楼层
开坦克的贝塔 发表于 2019-6-26 22:27
想问下,招商武汉的公众号怎么有段时间没更新了?

14号以后就没有更新了
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发表于 2019-6-26 23:03:37 | 显示全部楼层


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发表于 2019-6-27 09:58:54 | 显示全部楼层
俄罗斯世界杯 发表于 2019-6-26 21:59
法兰克福、旧金山、温哥华、墨尔本
这四条航线的含金量很高,青岛不到五个亿的补贴,想必武汉会更为低一 ...

青岛蛮有魄力的,补贴得好狠,他们的洲际航线票价全国最低,上座率惨不忍睹,但他们还是坚持补贴,值得学习。
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发表于 2019-6-27 10:02:37 | 显示全部楼层
WHCT 发表于 2019-6-27 09:58
青岛蛮有魄力的,补贴得好狠,他们的洲际航线票价全国最低,上座率惨不忍睹,但他们还是坚持补贴,值得学 ...

法兰克福、温哥华、墨尔本武汉应该积极争取
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