2016年3月29日武汉新闻汇总

wowyoumans

发达国家粉碎机不是白叫的。
结合最近的航空发动机公司和武汉新芯，都是各自领域卡脖子的关键产品，搞好了，才能站上各自领域的产业高地，才能摆脱中等收入陷阱。
省市领导的格局很大，眼界很高，光谷大有可为！

whxmdz

上面是我自己做的一个表格，大家看表格很容易了解当前的3D NAND Flash 厂商实力对比状况：
第一代3D NAND Flash :24层；
第二代3D NAND Flash :32层；
第三代3D NAND Flash :48层；
这是已经量产的产品技术规格，不包括三星在实验室达到的64层堆栈，64层不会那么快量产。
武汉新芯估计在存储器项目开工的时候技术能力已经从2015年上半年的9层突破到18层（按照目前透露的消息推算），按照湖北及武汉在此前的低调表现来看，特别有可能以及达到中国跨越历史级别的超级突破，也就是说中国人历史上第一次彻彻底底拥有自主能力建造未来存储器产业具有引领意义的3D NAND Flash 第一代24层堆栈的存储器。但是为了不引起美日韩台的巨头的忌惮或者碍于国家机密，对外宣称的时候只是低调地说还没有达到第一代24层堆栈的能力。


       三星2015年的NAND产能约为484.5万片晶圆，主流工艺是16nm。在3D NAND闪存上，三星是全球量产最早的供应商，2013年就量产V-NAND闪存了，当时还是32层堆栈的（第一代24层堆栈的没有规模量产），之后三星又推出了48层堆栈的第三代V-NAND闪存，并与去年底开始量产。
       三星在中国西安投资70亿美元建设新一代晶圆厂，主产的就是3D NAND闪存，在如此庞大的投资下，三星西安工厂去年1-8个产值就达到了115亿元。三星在2016年有可能占到全球3D  NAND闪存市场的40.8%份额，绝对是一家独大。
      SK Hynix去年的产能约为249万片晶圆，主流工艺也是16nm，他们的3D NAND闪存芯片要在今年Q1季度才能量产，主要36层堆栈的MLC及48层堆栈的TLC闪存，3D  NAND闪存市场份额预计为3.3%。
      东芝/闪迪去年的产能约为588万片晶圆，主流工艺是15nm，不过3D NAND闪存也是要到今年Q1季度量产，主要是48层堆栈的MLC/TLC闪存，今年预计份额为5.4%。
      美光/Intel合资的IMFT公司去年产能219.5万片晶圆，主流工艺为16nm，去年Q4季度开始量产32层堆栈的MLC/TLC闪存，预计今年的份额为17.6%。
      此外，Intel虽然与美光合资生产闪存，但去年已经决定把中国大连的Fab 65工厂从芯片组生产转向闪存制造，总计投资55亿美元，分析认为投产的产品很可能是Intel非常倚重的3D  XPoint闪存。
      随着三星、Intel等国际公司扩大中国晶圆厂的3D NAND闪存产能，中国大陆所占的3D NAND产能有可能从目前的8%提高到2017年的超过10%。
      另一方面，中国本土自建的国产NAND工厂本月底正式动工，预计2017年到2018年正式建成投产，由武汉新芯科技公司负责运营，而且所生产的芯片直接进入3D  NAND闪存时代，技术来源是飞索（spansion被cypess收购）半导体，但不确定他们的3D NAND闪存具体是什么工艺，技术水平与三星、Intel相比如何。
      国产存储芯片晶圆厂的产能目标是每月20万片晶圆，算起来一年就是240万片了，差不多达到了SK Hynix现在的水平，不过月产20万片晶圆的目标不是一蹴而就的，一座晶圆厂通常的月产能不过是数万片，所以20万片的月产能需要多年的产能建设才有可能。
     国产闪存应该如何与三星、Intel、东芝们竞争初期的价格战是不可避免的，但长久来看还得是技术立足。

dieshuangfei168

顶武汉新芯，希望早日成功助力大武汉升级！

110514390

武汉米兰 发表于 2016-3-29 11:04
我竟然看到了有人说应该把这钱拿去建设两江四岸。。。。。

说明了某些老汉班子眼界见识可以低到什么境界

dannytan

longwang181 发表于 2016-3-29 12:15
合资搞汽车哪家搞得过吉利，比亚迪？同样的道理适用芯片合资，老外不会那么大方的，只有自主权在自己手中， ...

确实，现在西部的成都   西安  还在动不动 就  什么   我们 有 什么 intel  工厂    什么三星工厂。我就好笑  堂堂 西北 西南   两大中心城市居然 张口 就是 美国 和  韩国的  企业  ？难道自己  没有什么拿得出手的 东西来  吹？  况且 还是 几个工厂   有本事 把别人的全球 研发   甚至总部吸引过来？ 人家就看 西部地区的 人力资源 成本低 好好的利用了 一番  。我国 人 还当成了 自己的本事   。人家外国人 能把 真材实料核心技术给你？  仔细 一想  西部大开发这么多年   西部确实  连个毛都没搞出来 也不怪他们 只能拿外国的企业说事 武汉好歹还有 光谷 ，   芯片  ，生物医药  ，新能源 等等   等等     东西 。

dannytan

中国现在要转型   走 真真的 自主强大领先。。 就想 美国硅谷  人家不会因为 你中国 一个企业 去那里   感到自豪 。反倒是  人家培养出了  大名鼎鼎的全球 大公司   大品牌    能跑到 我们这里来投资  我们还  感到荣欣 ，因为我们落后  就是这样。哪天 我们中国  培养出了 很多  世界  级的 引领潮流的 公司   让  外国人因为我们的公司跑到 外国 投资 而自豪  说明我们真正的崛起了。遗憾的是  现在有这种觉悟的城市 中国 就只有 深圳 武汉等等。   其它 的 很多城市  还是停留在 抱别人 大腿  当成是自己 的   本事  的 思维 年代。甚至 还在嘲笑 其它 培养本土企业的城市。这样的城市 堪称  中国的悲哀，严重的是 这样的城市  还不少。

whxmdz

上面我做的那个表里面关于MLC和TLC:


超极速SSD是参测SSD中唯一一款使用SLC闪存的，在性能测试中表现非常突出
　　金字塔顶端的是SLC，可靠性、寿命、性能还有价格都是最高的，使用SLC闪存的要么针对不计成本的企业级市场，要么就是做几款产品展示形象的。
　　第二级的是Clear NAND，它的特殊之处在于内建ECC纠错支持，这样SSD主控就不需要ECC处理了，负担就少多了，Clear NAND主要是美光在做。
　　再往下就是MLC的天下了，但是MLC也有很大区别。最好的是Enterprise Synch MLC（企业级同步MLC），可靠性和寿命针对企业级市场做了优化。之后就是Synch/Toggle MLC（同步/反复MLC），其中Toggle MLC多为东芝出品，当然Toggle阵营中也有企业级闪存，与企业级同步MLC对应。
　　SSD中应用比较多的其实还有Asynch MLC（异步MLC），价格便宜量又足，性能也不算差，重点就是消费级市场。
　　金字塔最底端的是TLC，它也很特殊，从前两年就开始嚷嚷相应的TLC SSD，关键的问题就在TLC可靠性太差，性能也低，除了容量提升之外很难有说服人的理由。
　　SLC、MLC以及TLC到底有什么区别呢？
　　继续前面的问题，施加电压会导致浮栅极电位变化，那么施加不同的电压就会有更多的电位变化，NAND闪存单元就可以容纳不同的信号组合，这也就是SLC、MLC以及TLC的区别。
　　这几种闪存的物理结构是相同的，SLC（single-level-cell）是最简单的一种，加电就是1，断电就是0。
      MLC (multi-level-cell）就是每个cell单元中有多个信号，通过控制不同的电压来实现的，常见的是2个电信号的，它的信号组合有11，01，00，10四种，也就是可储存的容量提升了。
　　TLC（Triple-level-cell）实际上也是MLC中的一种，不过常说的MLC几乎就是特指2个信号位的。TLC每个Cell单元中可荣内的信号更多，有000，001，010，011，111，110，100，101这8种，容量会更大。
       提升容量、降低成本是MLC及TLC最大的优点，但是负面影响也很严重。
　　1.MLC性能下降
　　MLC需要更精确的电压控制，program过程所需时间更多，因此写入性能也会大幅下降，理论上只有SLC的1/4；读取，特别是随机读取性能也会受影响，因为需要花更多的时间从四种电信号状态中区分所需数据，读取性能只有SLC的1/3。
      2.MLC可靠性下降
　　SLC闪存一次P/E循环只需要击穿一次氧化层，而MLC需要不同的电压多次击穿氧化层，物理损害比SLC要严重得多，MLC的写入次数指数级下降，比如SLC的理论寿命是1万-10万次，而MLC的写入寿命上限就只有1万次，而且随着工艺的进步，这个数值还在下降，25nm MLC普遍只有3000-5000次。
　　3.MLC需要更高的纠错
　　由于电压分的更细，MLC在读取数据的过程中需要提高敏感度，不然就容易出现读错数据的可能，也就是说MLC出错的几率增大了，纠错要求也必须随之提高，反应在SSD上就是需要更强的ECC机制。
　　除了上面提到的几点缺陷之外，MLC的漏电流、电压边界位移（voltage margin shifting）现象也增加了，MLC的功耗和发热也更高，这些都是MLC带来的问题，虽然相比前面几个并不算严重。
　　说了这么多MLC的“坏话”，其实也没必要，因为SLC的成本和售价不是谁都能接受的，而MLC带来的好处是极具诱惑力的，它带来的问题可以通过技术手段缓解，至少SSD的主流还是MLC，而且针对企业级应用的MLC在可靠性和寿命上一样有保障。

      废话不用说了，武汉新芯存储器团队的技术实力就目前来看，作为湖北人的我们，要给予充分的信心。官方的说法“落后主流一代半”，我来解说一下：国际主流已经量产的包括32层（美国英特尔，美国美光，韩国三星）36层（韩国海力士）48层（韩国三星，韩国海力士，日本东芝，美国闪迪）。其中36层堆栈只有1家，32层堆栈有3家，48层堆栈有4家。
      就3D NAND 技术发展趋势来说，海力士的36层搞出来估计是为了错位竞争对手的32层堆栈产品（性价比在这儿，呵呵，有点儿田忌赛马的战略思想），当前48层堆栈技术当属重头戏。32层市场也站相当份额，36层也不错。
      以武汉新芯的低调作风，“落后主流一代半”的意思就是第一代的24层即使量产也没有意义（所以这个不算入落后，因为这不算做是量产产品，哈哈），不需要大规模布置产能，其中一代（落后于美国英特尔，美国美光，韩国三星）是指32层，半代（落后于韩国海力士）是指36层，“落后主流一代半”的参考位置就是指目前市场上的48层堆栈产品，看我这么一分析是不是能够明白官方所说的“落后主流一代半”是什么意思。
     "通过5到15年的时间用3代量产产品达到世界主流产品的水平"，“5到10年的时间”很好理解，就是在2020年的时候量产48层堆栈产品，摧毁量产产品与外国的代差，2020年到2025年‘十四五’时期与世界主流水平同步量产64层或者80层，2025年到2030年‘十五五’时期量产世界最强而且唯一的96层堆栈存储器产品，到那个时候，什么bullshit美日韩台，什么全球巨头，都得进口武汉生产的存储器（到2030年，按照极端或者爆炸式的恐怖级别的发展速度（2位数），唯一途径就是依靠科技创新，武汉将成为GDP至少达到1 trillion dollars的城市，也就是1万亿美金，按照那时的人民币兑美元的汇率GDP可以有5万亿元人民币。）武汉Wuhan将成为世界级城市，这时候武汉将有与北上广深全面对抗的势力，但是并不具备秒杀或者碾压北上广深的超级实力，这还得等到2049年才行。这个时候的武汉，西方非常了解兼向往，因为他们都知道，chicago是“西方的武汉”，大武汉初步复兴。但是要秒杀北上广深还是得低调积累实力20年，待到2049年，哈哈。
      刚才末了所说的纯粹是个人的美好憧憬，个人意见，武汉还是要低调的发展，加油!!!

dannytan

武汉的 50多岁的这一代人  呈现 两集分化   开明的 人 思想先进。落后的人 还停留在码头文化   满脸很肉  张口 就是个婊子养的 。好的领导 比如 挖哥   坏的 就不说了   。这批落后分子  不死光的话 武汉的城市形象  很难有本质的改善。

天下楚人

whxmdz 发表于 2016-3-29 14:24
上面是我自己做的一个表格，大家看表格很容易了解当前的3D NAND Flash 厂商实力对比状况：
第一代3D NAND  ...

已经跳过20多层 在做30多

whj520

天下楚人 发表于 2016-3-29 15:47
已经跳过20多层 在做30多

有你这句话就放心多了

coconne

dannytan 发表于 2016-3-29 15:41
武汉的 50多岁的这一代人  呈现 两集分化   开明的 人 思想先进。落后的人 还停留在码头文化   满脸很肉   ...

这群码头文化的老人还有他们的后代呢，比如楼上那个w开头的ID。

dannytan

coconne 发表于 2016-3-29 15:58
这群码头文化的老人还有他们的后代呢，比如楼上那个w开头的ID。

是啊  现在好多这种人  张口就是   搞 绿化 搞 公园 有什么用   什么 瞎折腾  什么 还不如拿去搞民生。都他妈  巴不得  政府养着他们   饭来张口 衣来伸手  殊不知   大自然是   适者生存  弱者淘汰 。整个  生物 节  懒惰的 都生存不下去   这么简单的道理  好多 人类 都不知道。想想也是悲哀

asmodeus

如果出个XMC牌SSD，同志们会不会去买买买

redagni

asmodeus 发表于 2016-3-29 16:15
如果出个XMC牌SSD，同志们会不会去买买买

如果有用XMC芯片的SSD，果断入手，我觉得咱们本地人应该人手一个

flash1818

dannytan 发表于 2016-3-29 13:04
还有些人动不动就是   武汉 也修那么高的楼？  消化的了吗？  这种傻逼言论 也不少   我通常是这么回复的   ...

一个是，这些高楼都是商人投资，不是政府投资，政府只是招商引资，商人都不傻，赚钱的才会做，消不消化得了不是我们考虑的问题。

二是，城市发展需要有前瞻性和可持续性，城市人口密度增大，势必需要提高土地的利用效率，向地下和天空要空间是必然的。也对交通立体化提出更高的要求。