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楼主: qhyqhy

[江城资讯] 2016年3月21日武汉新闻汇总

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发表于 2016-3-21 16:54:40 | 显示全部楼层


左右图比例尺度不一样

黄是徐东大街,绿是秦园路
右图黄好短....
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如此弊劣,邀功魅上 !!






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发表于 2016-3-21 17:08:03 | 显示全部楼层
chuphoenix 发表于 2016-3-21 15:33
建议查查这个所谓的校史专家是哪里的

明显然就是见不得武汉好的那种,跑出来放风

这种不学无术的砖家真是想出名想疯了,只会用这种吸引人眼球的话题搏出位
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发表于 2016-3-21 17:26:44 | 显示全部楼层
qhyqhy 发表于 2016-3-21 09:04
3000亩沙湖湖面“失”而复“得”

这新闻的点挖得不错,但往自己脸上贴金显得太厚!
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发表于 2016-3-21 17:38:05 | 显示全部楼层
支持武汉搞宣传,互联网是瞬息万变的行业,不需要仰视前面的,后面的也要重视。不过沙湖那个不该宣传,而应警醒。
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发表于 2016-3-21 18:30:07 | 显示全部楼层
音乐虫子 发表于 2016-3-21 11:12
千万不要学某都,多年前靠着《新周刊》封了个第四城就真以为自己是第四城了。清楚自己城市的位次和不足, ...

该城很多地方还是挺不错的,就是媒体太能吹了,都要上天了。
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 楼主| 发表于 2016-3-21 18:39:02 | 显示全部楼层
武汉240亿美元存储器战略落地

  中国证券网讯(记者 李兴彩)记者从IC咖啡获悉,国家存储器战略即将落地武汉东湖新技术开发区,项目启动仪式将于28日在东湖存储器基地举行

  据悉,该项目由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北省集成电路产业投资基金股份有限公司、国开发展基金有限公司、湖北省科技投资集团有限公司共同出资建设,项目总投资将达240亿美元

  目前方案显示,产品方向为3D NAND,项目的主要实施主体是武汉新芯。武汉新芯成立于2006年,是湖北省与武汉市的重大战略投资项目,旗下12寸厂于2008年投片,其于2014年与闪存大厂Spansion(飞索半导体)合作发力3D NAND。武汉新芯执行副总裁、营运长洪沨博士洪沨透露,武汉新芯的产品及工艺模块的研发推进顺利;3D NAND项目第一个存储测试芯片通过存储器功能的电学验证,在更高阶层的工艺研发及存储单元性能上,也取得了更多重要进展。

  据IC Insights数据,2015年半导体存储器市场总额达835亿美元,NAND Flash是一大亮点。作为被广泛看好的存储器未来发展大趋势,IC Insights预计3D NAND Flash产品的出货量将以200%的年均复合增长率递增,预计2020年达到NAND Flash总量的70%的水平。目前,东芝、三星、海力士也均在大力布局。

  值得关注的是,该存储项目可能采用虚拟IDM模式。存储器产业的核心竞争力是良好的产品设计、制造工艺和产能的完美结合,从全球存储产业结构看,三星、海力士、美光等无一例外是IDM厂商,均有自己的晶圆制造及封测厂。随着存储制造投资额的攀升,投资独立的IDM厂风险愈大,在我国整机和资本都较为完善的情况下,通过产业生态建设,打造存储产业链及龙头企业的虚拟IDM做法显得更加可取。此前,国家02专项总师、中国科学院微电子研究所所长叶甜春指出,“从模式上看,发展存储产业一定要走IDM的模式,如果走虚拟IDM模式的话,必须是资本为纽带的产业链合作,这种模式也可以尝试。”
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发表于 2016-3-21 18:52:01 | 显示全部楼层
天下楚人 发表于 2016-3-21 12:13
武汉一地 大部分给武汉新芯

请教下 国内各地存储器工厂情况如何?除了武汉和合肥 还有哪里做?
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发表于 2016-3-21 18:56:34 | 显示全部楼层


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发表于 2016-3-21 19:08:03 | 显示全部楼层
本帖最后由 youryuan 于 2016-3-21 19:11 编辑



武汉新芯仍持续主导从中芯手中接下的12寸厂生产,目前主要以编码型快闪记忆体(NOR Flash)为主,并进军3D NAND晶片技术研发,未来将汇集DRAM、3D NAND与NOR技术,并且打造二座以上12寸晶圆厂的中国记忆体晶片制造基地

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发表于 2016-3-21 21:06:53 | 显示全部楼层
滑板鞋流浪者 发表于 2016-3-21 11:27
在互联网领域同样要参考马太效应,当今大武汉和京沪深杭等在互联网创业方面差距可能是10个数量级,谁能保 ...

武汉互联网当然还不充分,但是工业、商业、服务业没一个不需要互联网的,这就是市场。不过确实突破思维更重要
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发表于 2016-3-21 21:19:10 | 显示全部楼层
感觉只是营销手段而已 有争议的广告吸引眼球 再来有争议的专家持续引爆话题 至少这几天武汉樱花获得了很多关注 又不是靠低俗宣传 又没有损害武汉的形象 何乐而不为
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发表于 2016-3-21 22:28:41 | 显示全部楼层
inzaghi 发表于 2016-3-21 18:52
请教下 国内各地存储器工厂情况如何?除了武汉和合肥 还有哪里做?

合肥那个厂是自己在折腾 没有国家层面的支撑
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发表于 2016-3-22 00:00:04 | 显示全部楼层
好消息。。。。
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发表于 2016-3-22 02:02:57 来自手机 | 显示全部楼层
中国发展内存动起来!武汉新芯动土在即,首攻NAND Flash  2016-03-21 milo TechNews科技新报  中国发展内存产业再有新进展!中国武汉新芯将建新内存厂,市场传出新厂动土仪式就落在本月28日,然而,根据科技新报取得的消息,武汉新芯将建的为NAND Flash厂,而非DRAM厂,据悉,国家集成电路产业发展基金(大基金)与湖北省政府已到位,武汉新芯已磨刀霍霍进军Flash市场。   中国拟自建半导体供应链,在国安、军事考量下,内存一直是中国亟欲自足发展的领域,并属意选定一个省市为重点发展区域,先前在六大地方政府竞逐下,最终由武汉新芯出线,获得大基金挹注,统筹整体内存产业发展。    据悉大基金与湖北地方政府资金已于二月底到位,市场传出武汉新芯将于28日举行12寸DRAM厂动工仪式,然根据科技新报取得的消息,武汉新芯将先行建造Flash厂,先行锁定NOR型Flash,并逐步移转至NAND Flash产品,甚至3D NAND Flash,最终目标产能30万片。   从3D NAND Flash弯道超车的野心    从武汉新芯近期的布局或可看出端倪,2015年5月,武汉新芯才与NOR内存厂商飞索半导体(Spansion)签订合作协议与交叉授权发展3D NAND Flash技术。从武汉新芯财务长陈少民、营运长洪沨近期出席上海SEMICON China与厦门2015集成电路产业促进大会的谈话,主轴同样绕在Flash产业的布局。    武汉新芯财务长陈少民在15日才开幕的上海SEMICON China内存产业发展论坛上即指出,“日本抓住了DRAM发展机遇,韩国抓住了DRAM和NAND发展机遇,两国都成为了内存行业的领头羊。如今3D NAD技术兴起,十三五规划又将半导体作为发展重点,我们正谓正好走到了一个发展的‘风口’势必把握这一机会。”洪沨早前也称,3D NAND Flash将成为中国内存芯片产业弯道超车的切入点。武汉新芯、中国的内存布局或将从Flash展开。  大厂纷纷押宝,价格战已可预见?  然而,不只武汉新芯,各大内存大厂也争相加大3D NAND Flash的投资,英特尔大连厂转生产3DNAND Flash,于下半年产能开出,SK海力士在三月初则传出投入15.5兆韩元(约4,500亿新台币)扩充NAND Flash产能,并于2019投产,17日,东芝也宣布三年内要投资3,600亿日元建厂扩产,同样押宝3D NAND Flash。  外资RBC Capital Markets分析师Amit Daryanani近期的报告即发出忧心,在业者纷纷转进3D NAND Flash下,平均销售价格(ASP)将被拉低,甚至可能出现价格暴跌的情形,使得部分厂商陷入困境。3D NAND Flash未来是否会掀起一场价格血雨同样令人关注。
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发表于 2016-3-22 02:09:36 | 显示全部楼层
天下楚人 发表于 2016-3-21 22:28
合肥那个厂是自己在折腾 没有国家层面的支撑

你确定英语博士没有支持肥肥?
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