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发表于 2016-3-22 12:13:02
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传闻许久的国家存储器战略方案最终定案，由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北省集成电路产业投资基金股份有限公司、国开发展基金有限公司、湖北省科技投资集团有限公司共同出资建设的国家存储器基地即将落地武汉东湖新技术开发区。项目总投资将达240亿美元。3月28日将在武汉东湖存储器基地举行启动仪式，出席的嘉宾包括国家相关部委领导，国家大基金、湖北省集成电路产业基金、东湖新技术开发区管委会、武汉新芯以及国家02专项总师、中国科学院微电子研究所所长叶甜春、国家01专项总师、清华大学微电子学研究所所长魏少军等集成电路产业内的资深专家。
解密240亿投资的关键点
从投资规模来看，这次国家存储器大战略中的产能规模预计20-30万片（按照10k产能，2D NAND-3D NAND 约7-9亿美元的投资预估），而主要产品也并非之前传言的主要发展DRAM方案，而是重点发展3D NAND，兼具一些2D NAND和DRAM产品。据IC咖啡可靠消息，主要由武汉新芯团队来牵头实施国家存储器战略，邀请杨博士担任新公司CEO。技术以自研为主，其他关键技术来源目前还处于谈判阶段，可能合作的对象包括美光、IMEC等企业和机构。
关于国家存储器大战略的点评
1、产品方向：跟随国际大厂选择3D NAND，是中国存储器战略实现全力追赶的第一选择
存储器产品路径选择一直是国家存储器战略最为关注的地方，到底是主要发展目前市场主流的内存DRAM产品，还是代表未来发展趋势的3D NAND产品一直存在争论，从目前国家方案来看，最终保持和国际存储器大厂同样的投资路线：3D NAND。
据IC Insights数据，2015年半导体存储器市场总额达835亿美元。各类存储器中，NAND Flash是一个亮点。其广泛应用于PC、手机、服务器等各类电子产品，2015年营收达到267亿美元。然而2D NAND（即二维层面上的闪存存储器技术）即将面临发展瓶颈，近物理极限，单位面积存储容量难以继续提高，且可靠性降低，而3D NAND存储器将成为提高NAND Flash密度和降低成本的必然途径。2D NAND Flash产品的出货量将从2015年开始以每年17.1%的速度快速下降，3D NAND Flash产品的出货量将以200％的年均复合增长率递增，预计2020年达到NAND Flash总量的70%的水平。未来3D NAND Flash产品将逐渐取代传统的2D NAND Flash产品，成为NAND Flash的主流产品。也因此，东芝和SanDisk之外，三星（Samsung）、海力士（Hynix）及IM Flash Technologies亦已投入3D NAND存储器技术布局。3D NAND Flash每年成长达到100%，这是一个巨大的市场机会。
3D DAND相比DRAM更能有助于中国存储器战略实现超越，DRAM生态走向寡占市场，主要被三星、海力士、美光等韩美厂占据，中国在国际市场上可以合作的技术授权方很少，另外相比NAND领域，DRAM存在更高的技术壁垒和大厂折旧优势，不利于中国实现弯道超车。
2、模式选择：资本为纽带的虚拟IDM模式也许是本次存储器战略的第一选择
观察全球存储器产业构成中，三星、SK海力士、美光等无一例外都是IDM厂商，都有自己的晶圆制造厂与封测厂，产业布局相当完善。究其原因，存储器产业的特点是拼制造工艺、拼产能，这样才能把成本降下来，最终赢得市场，所以生产制造能力是存储器厂商的核心竞争力，厂商往往严格把控。我国台湾地区试图以同样的方法，希望在8英寸向12英寸晶圆厂过渡的世代交替时，以拥有全球最多的12英寸晶圆厂来取胜。但是，最终我国台湾地区并未因12英寸晶圆生产线多而取得胜利，韩国的三星电子及SK海力士至今仍雄居全球存储器第一位与第二位。因此可以看出，台湾地区没有打造出强大的IDM存储器厂商是其在存储器领域失败的重要因素。
随着存储芯片生产复杂程度的提高以及投资额的攀升，“单打独斗”模式的风险也在加大，存储厂商越来越多考虑通过合资、外包等各种形式分散风险。建立适宜的存储产业环境越来越重要，而不能将目光只盯在一家企业的打造上，忽略了整个配套产业的培育。对此，国家02专项总师、中国科学院微电子研究所所长叶甜春指出：“从模式上看，发展存储产业一定要走IDM的模式，如果走虚拟IDM模式的话，必须是资本为纽带的产业链合作，这种模式也可以尝试。”
以此为鉴，据悉本次国家存储器战略也将以武汉新芯为主，联合国内包括整机和资本在内的产业链上下游共同合作建立存储器产业链生态，打造具备中国特色的以资本为纽带的虚拟IDM模式实现存储器产业的超越。
3、武汉新芯的技术能力：除了自研，美国和韩国有望成为技术来源的主要选择
武汉新芯是这次国家存储器战略的主要实施主体，团队由杨士宁领衔，已经积累了十年的闪存制造经验和一批关键人才，拥有一支经验丰富的国际化管理团队，包括业界顶尖领军人才和专家，并有大量的专业人才储备，同时拥有参与全球化竞争的知识产权平台，具备研发3D NAND技术的基础。武汉新芯在电荷俘获型存储器领域的长期研发和量产的经验成为其在3D NAND 研发上的关键优势。武汉新芯通过完成先导产品的研发，迅速达到3D NAND国际主流技术水平并开始切入存储器国际市场，同时会全力推动整体产能扩充。在2020年达到月产30万片，进入世界存储器产品市场第一梯队。
据武汉新芯执行副总裁、营运长洪沨博士洪沨透露，武汉新芯的产品及工艺模块的研发推进顺利。3D NAND项目第一个存储测试芯片通过存储器功能的电学验证。目前，在更高阶层的工艺研发及存储单元性能上，都取得了更多重要进展。据武汉新芯商务长陈少民介绍，目前武汉新芯在技术方面已有了完整规划，主要布局存储器技术、三维集成技术和LG/SOC，瞄准未来的物联网市场。另外，据悉除了武汉新芯自研，美光、IMEC、IBM、海力士等国际合作方都可能是技术来源的重要选择。
武汉新芯成立于2006年，是湖北省与武汉市的重大战略投资项目，2008年12寸正式完工并开始投片，原为中芯国际旗下的一座工厂，后来2013年中芯国际退出营运，武汉新芯正式独立成单一公司，由武汉市政府负责，经营团队多在国际半导体公司都有历练，具有相当的技术根基。
武汉新芯位处东湖开发区，占地达531亩，目前有一座12寸晶圆厂运作中，现有工厂初期产品以NOR为主，2015年年初正式与Spansion合作，展开3D NAND的技术开发。 目前国家存储器大战略落地武汉新芯，势必会带动武汉集成电路产业的跨越发展，据悉还将在上海设立研发中心，笼络更多产业内的关键人才来共同实现中国存储器的全面赶超
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