2015年7月3日武汉新闻汇总

长江大桥 · 发表于 2015-7-3 09:11:32

2014年1-12月分区规模以上工业完成情况
单位：亿元
　工业总产值工业增加值
　 1-12月增幅（%） 1-12月增幅（%）
江岸区 276.52 5.3 56.84 5.3
江汉区 50.49 -15.4 14.56 -13.9
硚口区 157.65 10.0 44.36 9.9
汉阳区 855.87 13.1 569.12 16.0
武昌区 193.13 10.8 46.35 10.7
青山区 1401.30 2.6 296.06 5.4
洪山区 209.29 10.3 55.74 13.4
东西湖区 926.54 13.3 330.99 14.5
汉南区 203.43 -0.1 55.37 1.0
蔡甸区 826.83 12.5 227.63 12.3
江夏区 1050.07 14.0 299.25 12.1
黄陂区 646.33 18.8 178.50 14.9
新洲区 716.61 15.1 213.02 13.2
东湖高新技术开发区 2011.51 16.3 602.84 13.6
武汉经济技术开发区 2617.37 13.1 755.64 13.5
东湖生态旅游风景区 0.19 -90.0 0.05 -89.8
武汉化工区 187.44 210.8 53.77 208.4

xzbd000 · 发表于 2015-7-3 09:12:06

中国存储产业布局初定,武汉新芯当领头羊
发布时间：2015-06-30 17:16:00 来源：论坛作者：佚名
关键字：存储中国
　　根据调研机构 DRAMeXchange 的数据，2014年中国DRAM消化量已达47.89亿颗(2Gb equiv)，总计102亿美元，占全球产能的19.2%。一方面，中国武岳峰资本与赛普拉斯就收购美国半导体公司ISSI斗智斗勇;另一方面，武汉新芯确定统筹中国DRAM产业发展，将汇集三大技术(DRAM、3D NAND、NOR)成为中国重要内存芯片基地。

　　DRAM属于资本密集产业，光土地、厂房不含设备，就得耗资20~40亿RMB，投产六万片即超过200亿RMB，若要达到较具经济规模的10万片产能，就得另外花上400~800亿RMB才有办法做到，仅剩三家(三星、美光、SK海力士)独大的DRAM市场。

　　目前来看，大基金对啃下了存储产业这块硬骨头的决心非常重，在资金、技术、人才、IP等方面完成初步布局。

　　1.与国际大厂谈技术合作：武汉新芯2015年年初正式与Spansion合作，展开3D NAND的技术开发。英特尔强势主导与DRAM厂的全力配合下，DDR4内存将在服务器领域率先切入。

　　2.收购美国半导体企业：武岳峰资本收购美国半导体公司ISSI已到最后阶段，尘埃将落定。对国内取得IP专利提升DRAM领域技术竞争力非常重要。

　　3.挖角台湾存储产业人才：中芯国际营运长赵海军为台湾DRAM厂商茂德技术发展暨产品本部兼大中华事业部副总裁。同样被视为目标的还有台湾瑞晶团队与华亚科、南亚科人才。尔必达前社长坂本幸雄，也在合肥现身力求东山再起。

　　4.整合国内产业和人才优势：北京已是中国IC重要应用市场，还有北京、清华大学以及中科院微电子中心等知识人才优势;而上海则有已逐步建立起IC产业链的中芯国际;联发科、Marvell、君正科技等在内的厂商，签署了14项与25项落户合肥的合作案;武汉新芯筹建第二座晶圆厂，武汉成为中国内存芯片基地。

　　TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange指出，除了大基金外，中芯国际、湖北省科技投资集团、湖北基金、华芯投资等都会投资，远期计划要募集到240亿美元的规模，长期产能目标达每月30万片，正式展开中国DRAM产业发展的计划。

　　从目前工厂规模来看，武汉新芯一厂投片已接近满载水位，现有工厂初期产品以NOR为主。倘若再加上DRAM产能，势必将再兴建另一座12寸晶圆厂来满足未来产能的需求。DRAMeXchange预估，未来武汉新芯将汇集DRAM、3D NAND与NOR技术成为中国半导体产业的技术领头羊，且将至少拥有二座12寸晶圆厂的中国内存芯片基地。

　　DRAM产业走过了景气谷底，加上需求的持续保障，DRAM厂重新开始考虑建厂，从去年下半年开始陆续启动扩建新厂，各家产能竞赛再起，并稳步升级工艺。今年以来，中国政府积极扶持自有DRAM产业，各项政策与收购动作浮上台面，搅局这一竞争格局相当稳定的市场。

　　鹿死谁手还未可知，但对整个DRAM 产业的影响显而易见。国内基金资金充足、内需市场庞大、人才梯队日益完善，资源装备优良大举进军DRAM市场，攻城拔寨的速度将在未来几年内改变整个存储产业的格局。

　　业内人士预计，从DRAM厂新建到试产需两年以上的时间，估计中国将先切入技术较容易的 PC DRAM，至于近年成长快速的移动DRAM 产能要追赶主流大厂，预估还要5~10年的时间。返回比特网首页>>

xzbd000 · 发表于 2015-7-3 09:12:24

武汉新芯汇集三大技术统筹陆DRAM发展
http://www.ec.hc360.com2015年06月30日08:39 来源：精实新闻T|T
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange指出，中国大陆于2014年10月宣布成立国家积体电路产业投资基金(中国简称为大基金)成立，进军DRAM领域成为中国半导体计画的第一步。在经过六大地方政府竞逐DRAM生产基地后，近日由大陆工信部电子信息司司长丁文武所主导的半导体小组，属意武汉新芯成为中国DRAM产业发展计画的首要重点区域，未来可能由上海中芯国际营运长赵海军领军、并以武汉新芯做为增资平台。

DRAMeXchange认为，除了大基金外，中芯国际、湖北省科技投资集团、湖北基金、华芯投资等都会投资，远期计画要募集到240亿美元的规模，长期产能目标达每月30万片，正式展开中国DRAM产业发展的计画；未来武汉新芯将汇集DRAM、3DNAND与NOR三大技术成为未来中国重要的记忆体晶片产业基地。

DRAMeXchange指出，武汉新芯成立于2006年，是湖北省与武汉市的重大战略投资项目，2008年12吋正式完工并开始投片，原为中芯国际旗下的一座工厂，后来2013年中芯国际退出营运，武汉新芯正式独立成单一公司，由武汉市政府负责，经营团队多在国际半导体公司都有历练，具有相当的技术根基。

DRAMeXchange进一步指出，武汉新芯位处东湖开发区，占地达531亩，目前有一座12吋晶圆厂运作中，现有工厂初期产品以NOR为主，2015年年初正式与Spansion合作，展开3NAND的技术开发。从目前工厂规模来看，武汉新芯一厂投片已接近满载水位，倘若再加上DRAM产能，势必将再兴建另一座12吋晶圆厂来满足未来产能的需求。

DRAMeXchange预估，未来武汉新芯将汇集DRAM、3DNAND与NOR技术成为中国半导体产业的技术领头羊，并且将成为至少拥有二座12吋晶圆厂的中国记忆体晶片基地。

bert068311 · 发表于 2015-7-3 09:13:04

2014年1-12月分区规模以上工业完成情况
单位：亿元
　工业总产值工业增加值
　 1-12月增幅（%） 1-12 ...
长江大桥发表于 2015-7-3 09:11

这个数据我看了的，都是一个城市的，我一般没拿出来说的！国家级高新区，科技部公布的也是大口径，跟这个斗不拢！

xzbd000 · 发表于 2015-7-3 09:15:17

武汉新芯：自主3D NAND研制成功，全靠“产学研用”

2015-05-13 10:46:40 来源：半导体制造
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3D NAND 武汉新芯中科院微电子产学研用 XMC

2015年5月11日，中国武汉，武汉新芯集成电路制造有限公司（XMC），一家迅速发展的300MM集成电路制造商，今日宣布其3D NAND项目研发取得突破性进展，第一个具有9层结构的存储测试芯片通过存储器功能的电学验证。

2014 年年底，武汉新芯公司与存储器领域的世界级研发团队Cypress (原Spansion)组建了联合研发团队，开始了3D NAND项目的研发工作。通过各方团队的并肩合作和倾力攻坚，该项目正按照原计划高效地向前推进，半年时间内，在工艺制程开发及测试验证上取得了阶段性的成功。

“凭借研发团队强大的技术能力和高效的执行力，我相信3D NAND项目的后续研发及量产工作将继续顺利地进行。”武汉新芯执行长杨士宁博士表示，“此次取得重大进展，表明我们开始掌握世界最前沿科技领域的核心技术，并逐渐建立完全自主可控的知识产权，迈入了国际3D NAND技术的竞争行列。我们有信心将自主研发的3D NAND产品按时推向市场。”

武汉新芯在研发团队的创新力与执行力得益于长期与中科院微电子研究所展开紧密的合作。在3D NAND项目上，双方采用了创新的合作模式, 即将双方的专家在研发项目与人力资源的管理上，在企业的平台上合为一体。这一模式将中科院微电子所深厚的理论背景与武汉新芯丰富的制造和研发经验有机地相结合，不仅增强了国际合作中的中方团队的实力，为研究成果共享奠定了坚实的基础，也为国内推广“产学研用”相结合，提供了方法科学且可行的样板。

bert068311 · 发表于 2015-7-3 09:15:54

中国政府出马了还谈鬼啊！！

列哥来了 · 发表于 2015-7-3 09:20:12

这样的项目一定要抓住啊

xzbd000 · 发表于 2015-7-3 09:21:22

集邦：武汉新芯确定统筹中国DRAM产业发展，将成为重要内存芯片基地
Trendforce集邦2015-06-29 14:00:14阅读(215) 评论(0)
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　　2014年10月14 日，中国工信部宣布国家集成电路产业投资基金（简称大基金）成立，进军DRAM领域成为中国半导体计划的第一步。
　　期间经过中国六大地方政府竞逐DRAM生产基地，各地方政府也努力的寻找技术、人力、财力及资源，希望跻身为中国半导体领域的重要省分。经过激烈的竞争，直至近日，中国工信部电子信息司司长丁文武主导的半导体小组属意武汉新芯成为中国DRAM产业发展计划的首要重点区域，未来可能由赵海军领军并以武汉新芯做为增资平台。
　　TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange指出，除了大基金外，中芯国际、湖北省科技投资集团、湖北基金、华芯投资等都会投资，远期计划要募集到240亿美元的规模，长期产能目标达每月30万片，正式展开中国DRAM产业发展的计划。
　　武汉新芯将汇集DRAM、3D NAND与NOR三大技术成为未来中国重要的内存芯片产业基地
　　武汉新芯成立于2006年，是湖北省与武汉市的重大战略投资项目，2008年12寸正式完工并开始投片，原为中芯国际旗下的一座工厂，后来2013年中芯国际退出营运，武汉新芯正式独立成单一公司，由武汉市政府负责，经营团队多在国际半导体公司都有历练，具有相当的技术根基。
　　武汉新芯位处东湖开发区，占地达531亩，目前有一座12寸晶圆厂运作中，现有工厂初期产品以NOR为主，2015年年初正式与Spansion合作，展开3D NAND的技术开发。从目前工厂规模来看，武汉新芯一厂投片已接近满载水位，倘若再加上DRAM产能，势必将再兴建另一座12寸晶圆厂来满足未来产能的需求。
　　DRAMeXchange预估，未来武汉新芯将汇集DRAM、3D NAND与NOR技术成为中国半导体产业的技术领头羊，且将至少拥有二座12寸晶圆厂的中国内存芯片基地。
　　集邦TrendForce：提供市场深入分析和产业咨询服务、产业信息媒介平台，研究领域涵盖：DRAM、Flash内存、个人计算机、智能手机、笔电、平板、面板等

xzbd000 · 发表于 2015-7-3 09:23:22

中芯国际或联手武汉新芯打造国家级存储芯片产业基地
2015年07月03日 07:40 中国证券网我有话说收藏本文

　　中国证券网讯近日，知名调研机构TrendForce发布报告称：武汉新芯集成电路制造有限公司被中国政府选为中国存储芯片产业的首要重点区域，未来武汉新芯将募集约240亿美元打造中国的存储芯片产业基地。

　　据21世纪经济报道7月3日消息，多位知情人士表示，中国政府对于存储芯片产业的发展已经密集讨论了接近两年，最近已基本敲定”在武汉塑造存储芯片产业龙头“，但官方暂未公布这一消息。知情人士称，中芯国际、武汉新芯将联合打造存储芯片国家队，预计需要募资总额250亿美元左右，国家大基金领投，中芯国际、湖北省，以及一些社会资本都会投资。知情人士还表示，下一步，中芯国际与武汉新芯有可能还会有更进一步的资本合作，比如收购、合并。今年5月，武汉市政府领导曾与中芯国际高层会谈，与后者讨论深度合作事宜。合理的管理变革是两大公司下一步发展的基础。

　　目前，中芯国际、武汉新芯均未对该报告作出回应。

　　武汉新芯成立于2006年，是湖北省与武汉市耗资百亿元打造的重大战略投资项目，由湖北省科技投资集团100%控股。目前，武汉新芯主要为存储芯片设计公司制造NOR Flash存储芯片，累计出货量超过10万片，拥有一定技术积累。

　　华融证券分析师表示，集成电路产业作为其他各项新兴应用的基础，起着重要的支撑作用。特别是在移动互联网与移动支付领域，安全芯片起着非常重要的作用，是整个产业健康发展的命脉，在去IOE潮流的驱动下，国内安全芯片及集成电路产业获得良好的发展时机。政府从国家政策层面对集成电路产业的发展给予强有力的支持，随着我国集成电路产业设计、代工、制造技术水平的不断提升，将会有越来越多的产品实现进口替代，这将成为未来电子科技领域发展最为迅速的子行业。后期国家级存储芯片产业基地如果落地，A股中武汉本地集成电路上市公司烽火通信(21.43, 0.00, 0.00%)、长江通信(19.20, 0.00, 0.00%)、精伦电子(20.71, 0.00, 0.00%)等，有望率先受益。

WHCT · 发表于 2015-7-3 09:24:02

努力追赶前两位，把天津当目标！

WHCT · 发表于 2015-7-3 09:25:10

能确定吗，不要让我失望。

eternalshi · 发表于 2015-7-3 09:28:47

官方早点表态把事情定下来{:5_118:}

xzbd000 · 发表于 2015-7-3 09:33:50

进军DRAM!国产内存公司将募集240亿美元
2015年06月30日 12:12 转载：超能网作者:bolvar 编辑:牛子儒 1 分享
　　在微处理器市场之外，国产芯片厂商下一个目标就是进军DRAM内存产业了，本土DRAM公司已经确定落户武汉，这家公司不仅会有国内大基金的投资，中芯国际、湖北基金及其他投资公司也会投资，计划募集资金高达240亿美元，未来也不是只产DRAM内存，3D NAND闪存及NOR闪存都是国产内存公司的重要目标。

　　国内内存公司经过六大政府的激烈竞逐，最终落户武汉市，将由DRAM产业经验丰富的中芯国际副总赵海军负责运营，以武汉新芯公司为建设主体。这家公司虽然现在规模不大，但未来潜力不可限量。集邦科技旗下DRAMeXchange指出，除了国家队的大基金之外，中芯国际、湖北省科技投资集团、湖北基金、华芯投资等基金都会增加投资，远期计划是募集到240亿美元的规模，长期产能目标是每月30万片。（提供一个对比数据，之前Hynix的无锡工厂失火时报道称，无锡DRAM工厂月产能是13.5片晶圆，占全球的12%左右，所以说国内的这个内存晶圆厂长期产能目标是非常大的。）
　　根据资料，武汉新芯公司成立于2006年，是湖北武汉市的重大战略投资项目，2008年12寸晶圆厂投产，原本是中芯国际旗下的晶圆厂，2013年中芯国际推出运营，武汉新芯成为独立公司，由武汉市政府负责。目前武汉新芯战地面积531亩，现有一座12寸晶圆厂，主产NOR闪存。2015年武汉新芯与Spansion飞索半导体合作开发3D NAND闪存，目前的12寸晶圆厂产能已经接近满载，未来还会建设新的12寸晶圆厂。
　　虽然我们还不清楚武汉新芯DRAM工厂的技术细节，不过DRAMeXchange预计未来他们将会汇集DRAM内存、3D NAND闪存及NOR闪存三大技术，成为中国半导体技术的领头羊，而且至少拥有2座12寸晶圆厂。■

szcs · 发表于 2015-7-3 09:34:22

财政收入低了些

Archerone · 发表于 2015-7-3 09:37:13

看来这个大势是定下了，政府现在没表态，表示还有几个地方在博弈，省市政府还不能放松，利用可以利用一切的资源，特别是老鱼头一定要多跑多汇报多争取，这是他一手在武汉布局的大产业，一定要搞到武汉来，最坏，当不了扛鼎者，武汉也要进入国家第一梯队。