2016年3月29日武汉新闻汇总

yanzhipan

qhyqhy 发表于 2016-3-29 08:02
听听外界怎么说武汉

    首届武汉马拉松即将开跑，这几天，外界很多人都在谈武汉。即便不是参赛者，同样 ...

汉马啊，汉马啊，没抽中，看一次不爽一次

长江大桥

summerbicycle 发表于 2016-3-29 08:09
这还赌啥....国家可不是在困难时期投几千亿在一个项目上让武汉赌的

是的，拿1600亿去赌博？在这种历史时刻说这种晦气的话真是。。。。。

whj520

长江大桥 发表于 2016-3-29 08:32
是的，拿1600亿去赌博？在这种历史时刻说这种晦气的话真是。。。。。

不是要说晦气的话，有些事情不是想象的那么简单！

长江大桥

有人担心，3D NAND Flash领域，也许会迎来类似彩电、液晶面板那样残酷的淘汰大战。这种担忧是多余的。
存储器基地是武汉市政府与其余富有竞争力的五大地方政府角逐后胜出；由武汉新芯全面统筹发展规划。这种从国家层面做出的产业布局，将大大增强新芯的市场竞争力。
而谈到武汉和新芯胜出的原因，陈少民一再强调，主要是技术。新芯的技术能力与国际一流厂商仅落后一代半。而目前已经成熟且商用的英特尔公司E7 V3处理器达到了14纳米制程，基于此可以判断出新芯的技术水平。

sunmiller1985

qhyqhy 发表于 2016-3-29 07:49
世界舆论聚焦国家存储器基地落户湖北武汉 中国芯片产业真正走上自主之路

    昨日，总投资1600亿元（约2 ...

只希望做到一定程度了，不要又把总部搬去北上广。。。。。

wssdh2006

汉正街、BCD 、二七、以及两江四岸的建设要有这么大的投入早就搞起来了，基础摆在那里在。希望zf能重视这些地方，加大投入

zxk70081

一切以市场为导向，让市场说了算，面对储存器市场带来的机遇和挑战，相信武汉能迎难而上出色的完成国家赋予的历史使命！！！

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wssdh2006 发表于 2016-3-29 08:54
汉正街、BCD 、二七、以及两江四岸的建设要有这么大的投入早就搞起来了，基础摆在那里在。希望zf能重视这些 ...

国家的钱来搞一锤子买卖生意，你当ZF那么傻,

kingsely

吊吊吊！！！！！！！！

mzlsss

wssdh2006 发表于 2016-3-29 08:54
汉正街、BCD 、二七、以及两江四岸的建设要有这么大的投入早就搞起来了，基础摆在那里在。希望zf能重视这些 ...

产业做起来了，这些就太简单了。产业是根，城建是花、果、叶。

qhyqhy

武汉1600亿元建 中国最大存储器基地

　　经过一番激烈的“角逐”后，我国目前在存储器领域的最大规模投资落地武汉。

　　3月28日，存储器基地项目在武汉东湖高新区正式开工建设，而其投资规模将高达240亿美元（约1600亿元人民币）。这是发展存储器被列为国家战略后，国家集成电路产业基金（大基金）的最大一笔投资，东湖高新区提供资料显示，该存储器基地项目的股东包括国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、国开发展基金、湖北省科技投资集团，将在武汉新芯集成电路制造有限公司（以下简称“武汉新芯”）基础上组建一家新公司作为存储器基地项目实施主体公司。

　　“这是自上世纪以来，国内在存储器领域的最大规模的一笔投资，”中国科学院微电子研究所所长叶甜春表示，这一项目若成功，将彻底改变中国与国际存储器领域的竞争态势。

　　清华大学微电子研究所所长魏少军也表示，当前，对比同类国家，中国是唯一一个没有自己的存储器的国家，其若成功，将圆了中国几代微电子研究者的梦。不过，项目奠基还只是开始，后续的实施过程中难度也不小，因此，要吸取以往存储器发展的教训，无论在国家战略上，还是后续的执行中，都需要坚定地坚持下去，并用开放的心态，摆脱体制的束缚，与一切具备合作价值的合作方合作。

　　主攻3D NAND

　　根据规划，这一收获庞大投资的存储器基地项目将以芯片制造环节为突破口，业务范围将涵盖存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售等，240亿美元的资金将在5年内投资到位。

　　因此，存储器基地项目的产能规划为，在2020年，3D NAND（3D闪存芯片）产能达到20万，DRAM（内存）产能达到10万。其中，2016年，将开工建设第一期厂房，到2018年，项目的第2期和第3期开工。

　　此番国家存储器基地项目的落地，并未选择当前主流的产品，而是选择了更为先进的3D NAND产品，武汉新芯商务长陈少民介绍，此前，市场使用的主要是2D NAND，即二维层面上的闪存。但2D NAND工艺已接近物理极限，单位面积存储容量难以继续提高，且可靠性降低，而3D NAND Flash每年增长率达到100%，这是一个巨大的市场机会。

　　存储器基地并不是全部，关于产业链的整合也将在这一项目的后续推进中体现。此番，湖北省、武汉市和东湖高新开发区还共同设立了一支规模达500亿元的湖北集成电路产业专属投资基金，用于建设存储器生产研发以及产业链上下游项目，继续发展存储器配套产业。

　　东湖高新区管委会主任张文彤指出，存储器基地项目建成后，将可以此为龙头，带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展，并与已具规模的显示产业、智能终端产业打通，形成万亿级的芯片-显示-智能终端全产业链生态体系，政府方面的规划是，借此将光谷打造成国内乃至全球最密集的电子信息产业基地。

　　竞争格局中突围

　　在武汉新芯跨步走进存储器领域的同时，已有同行提前切入市场。

　　当前，国际上，韩国三星集团在3D NAND技术上领先，并已量产。此外，日本东芝已进入48层3D技术研发，其改建的Fab 2计划于2016年投产。而包括新帝、美光等国际同行也早已切入存储器领域。而在国内市场，多地也正在该产业发展或进入该领域。

　　“存储器是最大宗的集成电路产品，也是我国进口金额最大的集成电路产品。”IC咖啡存储器领域资深分析人士指出。同时，存储器还属于战略级产品，无论是消费电子领域，还是军工工业领域，未来趋势的大数据云计算领域，对存储器的需求和消耗都非常大，上述人士表示，但是目前中国有300多亿美元的存储器市场需求几乎全部依赖进口。提升存储器的自给能力，做国产存储器，是国家层面“十三五”期间要做的战略任务，各个地方政府也正在积极推进，竞争激烈。

　　激烈竞争中，武汉新芯如何突围？陈少民表示，武汉新芯在电荷俘获型存储器领域已量产，其在3D NAND 研发上具有优势。后续，武汉新芯还将通过完成先导产品的研发，迅速达到3D NAND国际主流技术水平，并开始切入存储器国际市场，同时会全力推动整体产能扩充。在2020年达到月产30万片，进入世界存储器产品市场第一梯队，最终实现弯道超越。


　　“在技术层面，武汉新芯在3D NAND领域和世界先进水平差距并不算大，拥有一定的赶超基础和时间窗口。”上述人士指出，其目前进入到3D NAND产能竞赛中，目前看来对现有市场格局影响不太大，但后期的关键是，武汉新芯需要在自身技术研发方面、工厂建设、投产和运营、知识产权、如何应对存储器产业周期波动等方面做好准备，还有就是期待技术方面的国际合作。市场比较期待的是以武汉新芯为主，联合国内包括整机和资本在内的产业链上下游共同合作建立存储器产业链生态，打造具备中国特色的以资本为纽带的虚拟IDM模式实现存储器产业的超越。

　　作为国内第四代中国微电子领域的研究者，魏少军也坦言，填补中国存储器产品空白是国内几代同行的梦想，而武汉新芯的存储器基地项目，“如果做得好是一个金娃娃，做得不好则是一个烫手山芋，要做好这个项目，首先在战略层面上，必须要坚定。”

　　而叶甜春也表示，“武汉新芯的存储器基地项目，只要在创新上加以改变，不是简单地扩张，也不单纯的技术引进吸收，而是在技术、产品和商业模式等领域进行创新，对于这一点，市场有信心。”

　　陈少民也介绍，后续，武汉新芯还计划在光谷左岭打造存储器全产业链，并会与其它产业上下游配套公司合作，包括主控、封装、测试等各方面，争取做到全中国最大的储存器中心。武汉新芯CEO杨士宁也表示，将在多个领域与可以合作的力量合作。

qhyqhy

武汉新芯：欲抓紧"一代半"时间差 实现3D NAND的弯道超车

　　3月28日，总投资240亿美金 (约1600亿元人民币)的“光谷”存储器基地项目在武汉市东湖高新区正式启动 。这一项目是湖北省自建国以来最大的单体投资项目，更成为国家发展集成电路产业的重大战略部署。
　　据悉，该基地2018年将实现3D NAND存储器的首次量产，2020年形成月产能30万片的生产规模，其中20万片3D NAND Flash和10万片DRAM，2030年预计达到每月产能100万片。武汉新芯商务长陈少民先生在启动仪式后接受集微网等媒体的采访，就目前武汉新芯的研发实力、市场空间和合作伙伴的选择做出详细解答。

　　与竞争对手技术相差一代半
　　2015年，武汉新芯与美国Spansion公司宣布合作开发与生产3D NAND闪存技术，同时签署共同开发和交叉授权协议。双方在3D NAND项目研发取得了突破性进展。据陈少民先生透露，去年5月，武汉新芯在“9层”上面取得了重大突破，读写擦都没问题。它就像模组一样，可以堆叠上去，目前我们已经加了很多层，在Channel Charge电流和可靠性上得到大幅提升。按照目前的既定目标和规划来看，2018年初武汉新芯将推出具有一定市场竞争力的存储器产品，更多细节并未被透露。
　　
　　目前，以三星、东芝为首的国际NAND Flash大厂已实现48层堆叠的3D NAND存储器，SK海力士、美光快速发展至36/32层。对此，陈少民先生回应称，武汉新芯与竞争对手的差距只有一代半，我们有信心在三代产品后赶上国际厂商。其实，3D NAND技术就像是在挖隧道，做的越深可靠性就越低。就好比在很小的世界里盖房子，盖的越高就越需要支撑，这个非常难做。当然我们的技术已经通过专家的认证。

　　为何选择Spansion公司?
　　Spansion公司于2014年被Cypress并购。陈少民先生表示，Spansion是由AMD和富士通成立的合资公司，AMD早期做存储器，自1980年开始转型做处理器。对武汉新芯而言，Spansion曾经是闪存领域非常重要的供应商，拥有一大批核心专利和闪存方面的技术人才。
　　2014年，Spansion获得一项名为“电荷捕获(Charge Trap)”的重要专利技术。而目前拥有领先3D NAND技术的存储器企业均采用这一技术。Spansion还曾就电荷捕捉技术提告三星及苹果公司，后来与IBM公司达成交叉授权协议。武汉新芯也于2013年取得了这一技术的共同开发，交叉授权的协议，并同时拥有这一知识产权。
　　“当然，武汉新芯还会与更多公司合作。”陈少民先生讲道，“做3D NAND需要大量的合作伙伴，包括整个产业链的配套，从控制器，SSD模组到整个打造封装测试。我们秉持着开放的态度，兼容并包，希望与合作伙伴一起把这个存储器产业打造起来。”

　　弯道超车的绝佳时间点
　　2006年武汉新芯成立，2008年NOR Flash实现量产。陈少民先生指出，2013年杨士宁博士带着国际团队加入武汉新芯，用国际的视野和管理方式治理公司，于2013年开展了3D NAND的项目，不仅赶上了绝佳时间点，更于2015年取得了技术突破。“无论从市场、人才、布局和管理来看，武汉新芯拥有了弯道超车的转折点，这也是存储基地项目落地的根本原因之一。”
　　以一片12寸硅片可切割为700颗芯片来计算，2018年武汉新芯每年将生产出总量约25.2亿(700*30万*12)个存储器产品。“这一数值根据目前存储器市场的整体发展速度来看，将占据全球的11-13%。而2018年预计中国的NAND Flash需求量全球占比可能有40-50%，仅仅是国内自己的供应链仍是非常不足的。”陈少民讲道。
　　一方面，中国的存储芯片产业基本空白，几乎100%依赖进口。三星、美光、东芝、海力士等企业垄断的存储器市场高达800亿美元，占据全球95%以上的市场份额。而中国每年进口的存储芯片占比55%，国内厂商却从未曾参与进来。另一方面，先进工艺的物理节点将至，2D NAND Flash无法满足主流存储器对性能、功耗和可靠性的更高要求，3D NAND为国内厂商进入主流存储器制造领域提供了更好的机会。最后，也是最重要的一点，存储器广泛应用于手机、电脑、云计算和物联网中，是一个明星产业，预计未来将以10%的复合增长率保持增长。
　　3D NAND技术，无论对于任何厂商来说都是全新的技术。“只要你在科技领域，积极的参与，大胆的投入就会带来机会。如果没有抓住这个时间点，一切将会太迟。”陈少民表示，在全球互联网公司正将云上存储转换成闪存的趋势下，一旦我们可以在2018年顺利量产，并在2020年达到30万片的产能。三代产品内将质量赶上来，必将改变现有的全球存储器领域格局，扭转竞争态势。

长江大桥

武汉新芯：欲抓紧"一代半"时间差 实现3D NAND的弯道超车
作者：时间：2016-03-29来源：集微网

   3月28日，总投资240亿美金 (约1600亿元人民币)的“光谷”存储器基地项目在武汉市东湖高新区正式启动 。这一项目是湖北省自建国以来最大的单体投资项目，更成为国家发展集成电路产业的重大战略部署。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201603/288937.htm
　　据悉，该基地2018年将实现3D NAND存储器的首次量产，2020年形成月产能30万片的生产规模，其中20万片3D NAND Flash和10万片DRAM，2030年预计达到每月产能100万片。武汉新芯商务长陈少民先生在启动仪式后接受集微网等媒体的采访，就目前武汉新芯的研发实力、市场空间和合作伙伴的选择做出详细解答。
　　与竞争对手技术相差一代半
　　2015年，武汉新芯与美国Spansion公司宣布合作开发与生产3D NAND闪存技术，同时签署共同开发和交叉授权协议。双方在3D NAND项目研发取得了突破性进展。据陈少民先生透露，去年5月，武汉新芯在“9层”上面取得了重大突破，读写擦都没问题。它就像模组一样，可以堆叠上去，目前我们已经加了很多层，在Channel Charge电流和可靠性上得到大幅提升。按照目前的既定目标和规划来看，2018年初武汉新芯将推出具有一定市场竞争力的存储器产品，更多细节并未被透露。
　　


　　目前，以三星、东芝为首的国际NAND Flash大厂已实现48层堆叠的3D NAND存储器，SK海力士、美光快速发展至36/32层。对此，陈少民先生回应称，武汉新芯与竞争对手的差距只有一代半，我们有信心在三代产品后赶上国际厂商。其实，3D NAND技术就像是在挖隧道，做的越深可靠性就越低。就好比在很小的世界里盖房子，盖的越高就越需要支撑，这个非常难做。当然我们的技术已经通过专家的认证。
　　为何选择Spansion公司?
　　Spansion公司于2014年被Cypress并购。陈少民先生表示，Spansion是由AMD和富士通成立的合资公司，AMD早期做存储器，自1980年开始转型做处理器。对武汉新芯而言，Spansion曾经是闪存领域非常重要的供应商，拥有一大批核心专利和闪存方面的技术人才。
　　2014年，Spansion获得一项名为“电荷捕获(Charge Trap)”的重要专利技术。而目前拥有领先3D NAND技术的存储器企业均采用这一技术。Spansion还曾就电荷捕捉技术提告三星及苹果公司，后来与IBM公司达成交叉授权协议。武汉新芯也于2013年取得了这一技术的共同开发，交叉授权的协议，并同时拥有这一知识产权。
　　“当然，武汉新芯还会与更多公司合作。”陈少民先生讲道，“做3D NAND需要大量的合作伙伴，包括整个产业链的配套，从控制器，SSD模组到整个打造封装测试。我们秉持着开放的态度，兼容并包，希望与合作伙伴一起把这个存储器产业打造起来。”
　　弯道超车的绝佳时间点
　　2006年武汉新芯成立，2008年NOR Flash实现量产。陈少民先生指出，2013年杨士宁博士带着国际团队加入武汉新芯，用国际的视野和管理方式治理公司，于2013年开展了3D NAND的项目，不仅赶上了绝佳时间点，更于2015年取得了技术突破。“无论从市场、人才、布局和管理来看，武汉新芯拥有了弯道超车的转折点，这也是存储基地项目落地的根本原因之一。”
　　以一片12寸硅片可切割为700颗芯片来计算，2018年武汉新芯每年将生产出总量约25.2亿(700*30万*12)个存储器产品。“这一数值根据目前存储器市场的整体发展速度来看，将占据全球的11-13%。而2018年预计中国的NAND Flash需求量全球占比可能有40-50%，仅仅是国内自己的供应链仍是非常不足的。”陈少民讲道。
　　一方面，中国的存储芯片产业基本空白，几乎100%依赖进口。三星、美光、东芝、海力士等企业垄断的存储器市场高达800亿美元，占据全球95%以上的市场份额。而中国每年进口的存储芯片占比55%，国内厂商却从未曾参与进来。另一方面，先进工艺的物理节点将至，2D NAND Flash无法满足主流存储器对性能、功耗和可靠性的更高要求，3D NAND为国内厂商进入主流存储器制造领域提供了更好的机会。最后，也是最重要的一点，存储器广泛应用于手机、电脑、云计算和物联网中，是一个明星产业，预计未来将以10%的复合增长率保持增长。
　　3D NAND技术，无论对于任何厂商来说都是全新的技术。“只要你在科技领域，积极的参与，大胆的投入就会带来机会。如果没有抓住这个时间点，一切将会太迟。”陈少民表示，在全球互联网公司正将云上存储转换成闪存的趋势下，一旦我们可以在2018年顺利量产，并在2020年达到30万片的产能。三代产品内将质量赶上来，必将改变现有的全球存储器领域格局，扭转竞争态势。

qhyqhy

老杳:武汉240亿美元造芯,难以置信的满堂彩

　　自从国家颁布集成电路产业扶植政策，投资存储器风潮开始风起云涌，不仅搅得台湾业界混乱不堪，也让全世界为之瞩目。
　　虽然国外同行大都对大陆投入巨资发展存储器产业持怀疑态度，众多本土地方领导、业界高管、专家甚至媒体却一致赞成，好像只要有钱，大陆发展存储器产业唾手可得。
　　合肥请来前尔必达CEO要做存储器，厦门请来前尔必达CTO要做存储器(目前厦门已经放弃)，紫光虽然放弃入股西部数据，从入股力成、南茂等存储器封测入手，呼声虽大在真正投入上却小心翼翼，远没有武汉新芯来的疾风暴雨。

　　众多专家都给了武汉造芯很高评价：
　　魏少军：存储器项目是武汉建设全球有影响力创新创业中心，打造世界级光电子基地的核心引擎;
　　叶甜春：会超过武钢在工业化时代对于武汉的意义;
　　专家组组长邹雪城投出唯一一张反对票，理由：之前百亿元投资规模太小，缺乏规模效应难以盈利。

　　公开报道，根据存储器基地的建设进度，产能进入世界前五乃至前二，与韩国三星旗鼓相当，赶超时间不过5-15年。
　　武汉新芯的主要技术来自与Spansion的合作，虽然不能说是自主知识产权，倒也符合国家对自主可控的需求，就3D NAND技术而言，三星是多层次存储技术的先锋，目前三星电子的技术可达64层，而且是唯一一家实现量产的公司，根据新芯的消息，新芯目前可实现九层，后 面是堆叠技术，与三星相比至少有一代半的差距，新芯认为三代产品可以赶上。
　　大陆要发展集成电路可以理解，不过要面对资金、技术、人才三大关口，以大陆的国力资金当然没问题，即使以新芯对外的口径，明显要落后三星等竞争对手很多， 人才更是大陆目前阶段难以逾越的门槛，有朋友可能会说咱高薪挖人，偏偏自从台积电出了梁孟松事件，几乎台湾所有的集成电路公司都在用合同限制核心员工流 失，台湾的相关法律也支持当地公司，真要挖到核心人才难上加难，放火防盗防挖角已成大势，美国过去几年的表现更是将大陆视为眼中钉，FBI紧紧盯着每一个 可能为大陆提供潜在帮助的人或公司，大陆真要发展存储器产业远比某些人想象的难的多。
　　大陆有足够资金没有错，不过武汉新芯240亿美元的投入却并非中央政府免费扶植，除了大基金的钱，更多来自武汉当地政府的投入，其中更有120亿美元的银行 贷款，也就是说这240亿美元投入是要回报的，武汉政府的资金可以不求回报，银行贷款包括大基金的钱却并非如此，现在新芯可以作为武汉的标杆性企业，事实 却是过去多年新芯一直是武汉的包袱，连中芯国际都不愿意联手的沉重包袱。
　　老杳不反对大陆发展存储器，应当说不仅支持而且大力支持，不过即使中央政府支持，也要考虑经济效益，集成电路不比其他行业，赢家通吃，三星这几年固然赚的 盆满钵满，也要看到美光包括Sandisk等其实日子并不好过，存储器项目上马容易，买设备人家也欢迎，不过突破技术壁垒很难，招聘核心人才很难，要盈利 更是难上加难。
　　新芯项目启动带给武汉的不仅仅是荣耀，更是极大的负债风险，在送上赞歌的同时，老杳还得说一句：且行且珍惜!

fangruiwei

长江大桥 发表于 2016-3-29 08:37
有人担心，3D NAND Flash领域，也许会迎来类似彩电、液晶面板那样残酷的淘汰大战。这种担忧是多余的。
存 ...

是的，这种国家战略，国家应该有统筹规划安排，不会盲目上项目的。