|
发表于 2016-3-21 11:10:40
|
显示全部楼层
DRAM 、NOR Flash 、NAND Flash ,包括3D NAND Flash 已经是比较成熟的技术,希望武汉新芯这一块尽快量产。
与此同时,布局的工研院和华科等研究机构要着眼未来,考虑研究并开发
1.相变存储器(PCM、PRAM、PCRAM)
2.电阻式存储器(ReRAM、RRAM),又叫忆阻器(Memristor)
3.磁性存储器(MRAM),其子类STT-RAM。
4.铁电存储器(Ferroelectric RAM,缩写为FeRAM或FRAM)
5.磁赛道存储器(magnetic race-track memory )
这些技术了,这一块IBM 、HP、intel、东芝、镁光都已经研究多年了,希望不久的将来,我们至少和国外厂商能齐头并进…… |
|