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为应对美国半导体出口限制, 中国正全力扩大存储器量产能力,力求实现人工智能(AI)基础设施的自主化。据台湾《数字时代》和香港《南华早报》等主要外媒6日(当地时间)报道,中国最大的存储器企业长江存储技术股份有限公司(YMTC )已宣布进军高带宽内存(HBM)市场,其位于武汉的第三家工厂已开始全面引进设备。 长江存储武汉三期工厂即将投产……人工智能存储器领域豪赌HBM和DRAM。 中国存储器产业中心武汉的大规模设施投资已达顶峰。据DigiTimes报道,长江存储武汉三期工厂已进入核心工艺设备安装阶段,同时洁净室和设备调试工作也在同步进行,目标是在2026年下半年实现量产。 这项投资规模庞大,高达1000亿元人民币(约合21万亿韩元)。长江存储正在改变其最初专注于3D NAND闪存的战略,计划在中长期内将其总产能的一半转移到DRAM制造。这包括确保HBM的生产(HBM是人工智能运行的关键),以及先进的封装能力(有望改变全球存储器市场的格局) 。 市场研究公司预测,长江存储去年在全球NAND闪存市场的份额为7-8% ,随着其第三座工厂在2026年全面投产,这一份额将超过两位数。然而,由于整个过程中国产设备的比例大幅提高,良率(即合格产品的百分比)的保障被认为是市场稳定的最大变数。 |
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